摘要 | 第6-8页 |
Abstract | 第8-9页 |
第1章 绪论 | 第12-30页 |
1.1 论文的选题背景和研究意义 | 第12-24页 |
1.1.1 慢光研究的意义及方法 | 第12-19页 |
1.1.2 VCSEL器件的介绍和研究现状 | 第19-24页 |
1.2 基于VCSEL慢光研究的现状和进展 | 第24-26页 |
1.3 基于VCSEL慢光系统的应用研究 | 第26-28页 |
1.4 本论文的主要研究内容 | 第28-30页 |
第2章 VCSEL中慢光延时的产生原理及分析方法 | 第30-43页 |
2.1 VCSEL中慢光延时的产生原理 | 第30-33页 |
2.1.1 VCSEL的工作原理 | 第30-32页 |
2.1.2 VCSEL中慢光延时的基本原理 | 第32-33页 |
2.2 VCSEL慢光延时模型的建立 | 第33-42页 |
2.2.1 基于F-P腔分析法的VCSEL慢光模型 | 第33-37页 |
2.2.2 基于传输矩阵法的VCSEL慢光模型 | 第37-42页 |
2.3 本章小结 | 第42-43页 |
第3章 VCSEL慢光延时带宽特性的研究 | 第43-68页 |
3.1 引言 | 第43页 |
3.2 VCSEL中信号慢光延时的理论分析 | 第43-54页 |
3.2.1 VCSEL延时特性的理论研究及模拟计算 | 第43-49页 |
3.2.2 延时-带宽积的理论分析及数值计算 | 第49-54页 |
3.3 PRBS信号慢光延时的实验研究 | 第54-66页 |
3.3.1 VCSEL延时特性的实验研究 | 第54-59页 |
3.3.2 VCSEL延时-带宽积的实验研究 | 第59-66页 |
3.4 本章小结 | 第66-68页 |
第4章 VCSEL延时饱和特性的研究 | 第68-83页 |
4.1 引言 | 第68页 |
4.2 饱和效应对慢光信号影响的理论研究 | 第68-74页 |
4.3 饱和效应对慢光信号影响的实验研究 | 第74-82页 |
4.4 本章小结 | 第82-83页 |
第5章 利用级联VCSEL扩展器件带宽的研究 | 第83-101页 |
5.1 引言 | 第83页 |
5.2 级联VCSEL的理论模型及数值计算 | 第83-90页 |
5.2.1 级联VCSEL的理论模型 | 第83-86页 |
5.2.2 级联VCSEL慢光延时的理论计算 | 第86-90页 |
5.3 级联VCSEL慢光延时的实验验证 | 第90-100页 |
5.4 本章小结 | 第100-101页 |
第6章 利用耦合腔结构扩展VCSEL带宽的研究 | 第101-114页 |
6.1 引言 | 第101-102页 |
6.2 利用耦合腔结构扩展带宽的理论分析及数值计算 | 第102-113页 |
6.2.1 耦合腔VCSEL的理论模型 | 第102-105页 |
6.2.2 耦合腔VCSEL扩展带宽的理论分析 | 第105-113页 |
6.3 本章小结 | 第113-114页 |
结论与展望 | 第114-116页 |
致谢 | 第116-118页 |
参考文献 | 第118-131页 |
附录 | 第131-137页 |
附录1 VCSEL的增益解析表达式推导过程 | 第131-132页 |
附录2 VCSEL的相位解析表达式推导过程 | 第132-133页 |
附录3 VCSEL的延时解析表达式推导过程 | 第133-135页 |
附录4 VCSEL的延时-带宽积解析表达式推导过程 | 第135-137页 |
攻读博士期间发表的论文和科研成果 | 第137-138页 |