| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-15页 |
| 1.1 前言 | 第10-11页 |
| 1.2 薄膜晶体管在平板显示器中的研究现状 | 第11-12页 |
| 1.3 本课题的研究内容及意义 | 第12-15页 |
| 第2章 薄膜制备仪器及测试仪器 | 第15-22页 |
| 2.1 磁控镀膜装置及原理 | 第15-16页 |
| 2.2 薄膜的表面形貌分析 | 第16-18页 |
| 2.2.1 X-射线衍射(XRD) | 第16-17页 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜(SEM) | 第17-18页 |
| 2.3 薄膜晶体管测试方法 | 第18-21页 |
| 2.3.1 Keithley 4200-SCS型半导体性能测试仪 | 第18-19页 |
| 2.3.2 130Xe型波长连续可调式强光单色光源 | 第19-21页 |
| 2.4 本章小结 | 第21-22页 |
| 第3章 氧化锌薄膜的研究 | 第22-29页 |
| 3.1 制备氧化锌薄膜 | 第22-24页 |
| 3.1.1 实验所需材料和设备 | 第22页 |
| 3.1.2 石英玻璃基片上ZnO薄膜的制备工艺 | 第22-23页 |
| 3.1.3 衬底石英玻璃的清洗 | 第23页 |
| 3.1.4 ZnO薄膜的制备 | 第23-24页 |
| 3.2 氧化锌薄膜的表征 | 第24-28页 |
| 3.2.1 电子扫描电镜对氧化锌薄膜结构的分析 | 第24-25页 |
| 3.2.2 X-衍射仪对氧化锌薄膜结构的分析 | 第25-26页 |
| 3.2.3 椭偏仪测试氧化锌薄膜的厚度 | 第26-28页 |
| 3.3 本章小结 | 第28-29页 |
| 第4章 氧化锌二极管紫外探测器的原理及制备分析表征 | 第29-44页 |
| 4.1 引言 | 第29页 |
| 4.2 金属-半导体原理 | 第29-35页 |
| 4.2.1 金属半导体肖特基接触的物理模型 | 第29-31页 |
| 4.2.2 金属-半导体结构的电流-电压特性原理 | 第31-33页 |
| 4.2.3 欧姆接触 | 第33-35页 |
| 4.3 二极管紫外探测器制备 | 第35-36页 |
| 4.3.1 制备ZnO二极管紫外探测器的工艺流程 | 第35页 |
| 4.3.2 ZnO二极管紫外探测器的制备过程 | 第35-36页 |
| 4.3.3 ZnO二极管紫外探测器结构图 | 第36页 |
| 4.4 ZnO二极管紫外探测器无光和有光条件电流-电压特性 | 第36-43页 |
| 4.4.1 无光照分析器件的电流电压特性 | 第36-42页 |
| 4.4.2 有光条件电流电压特性 | 第42-43页 |
| 4.5 本章小结 | 第43-44页 |
| 第5章 氧化锌薄膜晶体管制备及工作特性分析 | 第44-62页 |
| 5.1 薄膜晶体管的基本结构和工作原理 | 第44-49页 |
| 5.2 垂直结构氧化锌薄膜晶体管的制备工艺过程 | 第49-51页 |
| 5.3 ZnO沟道层对器件性能的影响 | 第51-61页 |
| 5.2.1 实验参数 | 第51-52页 |
| 5.2.2 电流-电压特性分析 | 第52-61页 |
| 5.4 本章小结 | 第61-62页 |
| 结论 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
