| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 第1章 绪论 | 第14-30页 |
| 1.1 太赫兹辐射 | 第14-16页 |
| 1.2 表面等离子体激元 | 第16-24页 |
| 1.2.1 表面等离子体激元的发展历程 | 第16-17页 |
| 1.2.2 表面等离子体激元的色散关系 | 第17-20页 |
| 1.2.3 表面等离子体激元的激发方式 | 第20-21页 |
| 1.2.4 表面等离子体激元的特征长度 | 第21-22页 |
| 1.2.5 局域表面等离子体 | 第22-24页 |
| 1.3 基于表面等离子激元的亚波长金属狭缝结构在太赫兹波段的应用进展 | 第24-28页 |
| 1.3.1 振幅调制器 | 第24-25页 |
| 1.3.2 相位调制器 | 第25-27页 |
| 1.3.3 动态振幅调制器/开关 | 第27-28页 |
| 1.4 本论文的主要研究内容 | 第28-30页 |
| 第2章 周期性亚波长金属环形狭缝阵列对太赫兹波振幅的调制 | 第30-50页 |
| 2.1 引言 | 第30-31页 |
| 2.2 太赫兹时域光谱系统 | 第31-36页 |
| 2.2.1 太赫兹波产生 | 第32-35页 |
| 2.2.2 太赫兹波探测 | 第35-36页 |
| 2.3 高阻硅在太赫兹波段的光学性质 | 第36-37页 |
| 2.4 周期性亚波长金属“H”形环形狭缝阵列的设计 | 第37-38页 |
| 2.5 周期性亚波长金属环形狭缝阵列对太赫兹波振幅的调制 | 第38-42页 |
| 2.5.1 不同形状金属“H”形狭缝阵列的太赫兹波透射性质 | 第38-39页 |
| 2.5.2 数值模拟分析 | 第39-42页 |
| 2.6 论证等离子体驻波共振模型 | 第42-49页 |
| 2.7 本章小结 | 第49-50页 |
| 第3章 周期性亚波长金属狭缝的对称破坏引起的透射增强 | 第50-62页 |
| 3.1 引言 | 第50页 |
| 3.2 周期性亚波长金属“H”形狭缝阵列的设计 | 第50-51页 |
| 3.3 周期性亚波长金属“H”形狭缝的对称破坏对太赫兹波振幅的调制 | 第51-54页 |
| 3.4 数值模拟结果 | 第54-58页 |
| 3.5 周期性亚波长金属“十”字形狭缝阵列对称破坏对太赫兹波振幅的调制 | 第58-61页 |
| 3.6 本章小结 | 第61-62页 |
| 第4章 超薄太赫兹平板元件设计 | 第62-79页 |
| 4.1 引言 | 第62-63页 |
| 4.2 超薄太赫兹平板元件的设计 | 第63-70页 |
| 4.3 实验测试 | 第70-78页 |
| 4.3.1 超薄太赫兹平板柱透镜的聚焦 | 第72-76页 |
| 4.3.2 超薄太赫兹平板球透镜的聚焦和成像 | 第76页 |
| 4.3.3 超薄太赫兹平板相息元件的图像重建 | 第76-78页 |
| 4.4 本章小结 | 第78-79页 |
| 第5章 基于金属狭缝结构太赫兹器件的动态调制 | 第79-93页 |
| 5.1 引言 | 第79-80页 |
| 5.2 金属“U”形狭缝阵列对太赫兹波振幅的动态调制/关 | 第80-88页 |
| 5.2.1 实验测量 | 第80-81页 |
| 5.2.2 硅在光激发下的透过率和电导率 | 第81-84页 |
| 5.2.3 金属“U”形狭缝阵列对太赫兹波振幅的动态调制 | 第84-87页 |
| 5.2.4 金属“U”形狭缝阵列对太赫兹波振幅的光关 | 第87-88页 |
| 5.3 超薄平板透镜焦平面光场的动态调制 | 第88-92页 |
| 5.3.1 实验方法 | 第88-89页 |
| 5.3.2 超薄平板柱透镜焦平面上的光场的动态调制 | 第89-91页 |
| 5.3.3 超薄平板球透镜焦平面上的光场的动态调制 | 第91-92页 |
| 5.4 本章小结 | 第92-93页 |
| 结论 | 第93-95页 |
| 参考文献 | 第95-105页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文及其他成果 | 第105-107页 |
| 致谢 | 第107-108页 |
| 个人简历 | 第108页 |
