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基于表面等离子体激元/微腔效应的OLED光提取技术研究

中文摘要第4-7页
Abstract第7-9页
第1章 绪论第14-54页
    1.1 引言第14-15页
    1.2 有机电致发光器件(OLED)的研究与发展第15-22页
    1.3 OLED器件物理基础第22-28页
        1.3.1 OLED器件结构/发光原理/性能优化第22-24页
        1.3.2 OLED器件电流传输特性第24-27页
            1.3.2.1 载流子注入机制第24-26页
            1.3.2.2 载流子输运机制第26-27页
        1.3.3 OLEDs的激子输运第27-28页
            1.3.3.1 激子能量的转移第27页
            1.3.3.2 激子的动力学过程/能量耗散第27-28页
    1.4 有机半导体光电材料第28-36页
        1.4.1 有机半导体光电材料的发展历史第28-29页
        1.4.2 有机半导体光电材料的结构特征第29页
        1.4.3 有机半导体光电材料的发光性质第29-32页
        1.4.4 常用光电材料介绍第32-35页
            1.4.4.1 电极材料第32-33页
            1.4.4.2 注入材料第33页
            1.4.4.3 传输材料第33页
            1.4.4.4 荧光材料第33-34页
            1.4.4.5 磷光材料第34-35页
        1.4.5 有机半导体材料的掺杂第35-36页
    1.5 OLED制备方法第36-37页
        1.5.1 有机小分子器件第36-37页
        1.5.2 有机高分子(聚合物)器件第37页
    1.6 OLED光电性能及表征第37-40页
        1.6.1 光谱第37页
        1.6.2 驱动电压第37-38页
        1.6.3 发光效率第38-40页
    1.7 改善OLED发光效率的方法第40-45页
        1.7.1 提高内量子效率第40-43页
        1.7.2 提高出光效率的光提取技术第43-45页
    1.8 顶发射OLED发展概述第45-49页
    1.9 透明OLED发展概述第49-51页
    1.10 本论文研究的目的、内容与创新点第51-54页
第2章 OLED中近场表面等离子体损耗特性研究第54-93页
    2.1 表面等离子体振荡及激元第54-70页
        2.1.1 表面等离子体研究进展第54-55页
        2.1.2 金属的电子气极化模型及介电函数第55-59页
            2.1.2.1 金属介电函数的Lorentz-Drude模型第55-57页
            2.1.2.2 金属介电函数的高频近似Drude模型第57-58页
            2.1.2.3 体等离子体振荡及表面等离子体振荡第58-59页
        2.1.3 半无界金属/介质界面上的表面等离子体振荡模式第59-64页
        2.1.4 DMD结构金属薄膜界面上的表面等离子体振荡模式第64-65页
        2.1.5 表面等离子体激发条件及OLED中的SPP损耗第65-67页
        2.1.6 局域表面等离子体及其应用第67-70页
            2.1.6.1 局域表面等离子体及其特性第67-69页
            2.1.6.2 局域表面等离子体在太阳能电池领域的应用简介第69-70页
    2.2 PL器件近场辐射SPPs耦合出光及覆盖层增透特性实验研究第70-77页
        2.2.1 SPCDE实验研究第70-73页
            2.2.1.1 实验设计第70-71页
            2.2.1.2 结果与讨论第71-73页
        2.2.2 光栅结构金属薄膜及覆盖层增透特性实验研究第73-76页
            2.2.2.1 实验设计第73-74页
            2.2.2.2 结果与讨论第74-76页
        2.2.3 结论第76-77页
    2.3 有机发光二极管外量子效率的计算模型及实验验证第77-93页
        2.3.1 引言第77页
        2.3.2 理论模型第77-88页
            2.3.2.1 CPS模型第77-78页
            2.3.2.2 计算近场辐射偶极子在金属表面反射电场的索末菲模型第78-81页
            2.3.2.3 金属反射面近场偶极子功率耗散谱和内量子效率(PDS&IQE)第81-82页
            2.3.2.4 OLED多层结构能量耗散计算方法第82-83页
            2.3.2.5 薄膜光学多层膜反射率计算--分振幅法第83-85页
            2.3.2.6 金属介电函数第85-86页
            2.3.2.7 表面等离子体激元损耗、吸收损耗第86-87页
            2.3.2.8 WG模式&衬底损耗模式第87页
            2.3.2.9 耦合出光效率(OCE)第87-88页
            2.3.2.10 外量子效率(EQE)第88页
        2.3.3 光学仿真第88-90页
        2.3.4 实验验证部分第90-92页
        2.3.5 结论第92-93页
第3章 纳米压印周期结构底发射OLED增强出光研究第93-104页
    3.1 引言第93-95页
    3.2 纳米压印技术简介第95页
    3.3 实验部分第95-100页
        3.3.1 纳米压印工艺制程第95-97页
        3.3.2 器件结构及制备第97-98页
        3.3.3 器件表征测试第98-100页
    3.4 结果与讨论第100-103页
        3.4.1 软膜版形貌第100页
        3.4.2 电流效率增强第100-101页
        3.4.3 角度依赖特性谱和色散关系(SPP角度谱)第101-102页
        3.4.4 偏振特性(偏振谱)第102-103页
    3.5 结论第103-104页
第4章 抗短路免ITO层叠Al/Ag阳极顶发射OLED第104-123页
    4.1 引言第104-105页
    4.2 薄膜光学计算-传输矩阵法第105-112页
        4.2.1 传输矩阵法概述第105-106页
        4.2.2 薄膜光学计算理论第106-112页
            4.2.2.1 光学导纳第106-107页
            4.2.2.2 菲涅尔公式第107-109页
            4.2.2.3 单层介质膜的等效光学导纳及传输矩阵第109-111页
            4.2.2.4 多层介质膜的等效光学导纳及传输矩阵第111-112页
    4.3 Fabry-Pérot微腔效应理论及计算方法第112-115页
    4.4 光学仿真计算第115-116页
    4.5 实验部分第116-118页
        4.5.1 器件结构及制备第116-117页
        4.5.2 表征测试第117-118页
    4.6 结果与讨论第118-121页
        4.6.1 金属阳极薄膜粗糙度第118页
        4.6.2 器件光电性能第118-120页
        4.6.3 器件出光角度特性第120-121页
    4.7 结论第121-123页
第5章 顶发射OLED阴极Ag覆盖层增强发光机理研究第123-138页
    5.1 引言第123-124页
    5.2 光学仿真第124页
    5.3 实验部分第124-126页
        5.3.1 器件结构及制备第124-125页
        5.3.2 表征测试第125-126页
    5.4 结果与讨论第126-136页
        5.4.1 覆盖层对阴极Ag器件光电性能的影响第126-128页
        5.4.2 带覆盖层的金属电极透光率仿真计算第128-129页
        5.4.3 出光增强机理研究--SPP损耗恢复的观点第129-132页
        5.4.4 覆盖层在改善角度特性中的应用第132-133页
        5.4.5 低反射金属Sm在改善角度特性中的应用第133-136页
    5.5 结论第136-138页
第6章 光栅结构TEOLED恢复阴极SPP损耗实验研究第138-156页
    6.1 引言第138-139页
    6.2 光学仿真第139-140页
    6.3 实验部分第140-141页
        6.3.1 器件结构及制备第140-141页
        6.3.2 表征测试第141页
    6.4 结果与讨论第141-155页
        6.4.1 光栅形貌第141-142页
        6.4.2 角度谱及偏振谱测试第142-151页
        6.4.3 关于出光增强与效率增强第151-154页
        6.4.4 光栅器件制备中存在的问题第154-155页
    6.5 结论第155-156页
第7章 抗短路免ITO双银电极透明OLED研制第156-167页
    7.1 引言第156-159页
    7.2 光学仿真器件模型第159-162页
        7.2.1 金属电极反射率/透射率/相位计算第159-160页
        7.2.2 弱微腔效应第160-162页
    7.3 实验部分第162-164页
        7.3.1 器件结构及制备第162-163页
        7.3.2 表征测试第163-164页
    7.4 结果与讨论第164-165页
        7.4.1 金属阳极薄膜粗糙度第164-165页
        7.4.2 氧化铼透射谱测试第165页
        7.4.3 器件光电性能第165页
    7.5 结论第165-167页
第8章 总结与展望第167-170页
参考文献第170-180页
攻读学位期间本人出版或公开发表的论著、论文第180-182页
致谢第182-184页

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