| 内容提要 | 第4-6页 |
| 中文摘要 | 第6-10页 |
| Abstract | 第10-15页 |
| 第一章 绪论 | 第21-41页 |
| 1.1 热电材料研究背景及意义 | 第21-32页 |
| 1.1.1 热电材料发展历史 | 第22-25页 |
| 1.1.2 热电效应 | 第25-28页 |
| 1.1.3 热电器件工作原理 | 第28-30页 |
| 1.1.4 热电输运参数 | 第30-32页 |
| 1.2 主要热电材料体系的研究进展 | 第32-36页 |
| 1.3 CoSb_3基热电材料体系 | 第36-39页 |
| 1.3.1 CoSb_3基热电材料的结构组成和研究现状 | 第36-37页 |
| 1.3.2 优化CoSb_3基热电材料性能的途径 | 第37-38页 |
| 1.3.3 高温高压制备CoSb_3基热电材料的特点 | 第38-39页 |
| 1.4 本论文选题意义和研究目的 | 第39页 |
| 1.5 本论文的主要研究内容 | 第39-41页 |
| 第二章 实验方法 | 第41-53页 |
| 2.1 高压制备技术 | 第41-49页 |
| 2.1.1 高压设备介绍 | 第41-44页 |
| 2.1.2 制备压力的标定及调控 | 第44-46页 |
| 2.1.3 制备腔体温度的测量与调控 | 第46-48页 |
| 2.1.4 传压、保温介质简介 | 第48-49页 |
| 2.2 热电材料的高压制备实验 | 第49-53页 |
| 2.2.1 原料 | 第49-50页 |
| 2.2.2 合成块的腔体组装 | 第50-51页 |
| 2.2.3 热电材料的制备过程 | 第51-53页 |
| 第三章 热电材料的物性表征方法及设备 | 第53-61页 |
| 3.1 样品的相结构分析 | 第53页 |
| 3.2 样品的形貌及能谱分析 | 第53-54页 |
| 3.3 样品的电输运性能的表征 | 第54-58页 |
| 3.3.1 室温电输运性能的测试 | 第54-57页 |
| 3.3.2 室温以上电输运性能测试 | 第57-58页 |
| 3.4 样品的热输运性能测试 | 第58-59页 |
| 3.5 样品的载流子浓度的性能测试 | 第59-61页 |
| 第四章 高压制备Te-Sn双置换掺杂型CoSb_3基热电材料及其热电性能的研究 | 第61-75页 |
| 4.1 引言 | 第61页 |
| 4.2 样品的制备 | 第61-62页 |
| 4.3 不同Sn浓度对Co_4Sb_(11.5)Te_(0.5)的结构和室温热电性能的影响 | 第62-67页 |
| 4.3.1 X射线衍射分析 | 第62-63页 |
| 4.3.2 场发射扫描电镜的分析 | 第63页 |
| 4.3.3 高分辨透射电子显微镜图片分析 | 第63-64页 |
| 4.3.4 不同压力合成Co_4Sb_(11.5-x)Te_(0.5)Sn_x的电输运性能的研究 | 第64-66页 |
| 4.3.5 不同压力合成Co_4Sb_(11.5-x)Te_(0.5)Sn_x的热输运性能的研究 | 第66-67页 |
| 4.4 不同Te浓度对Co_4Sb_(11.7)Sn_(0.3)的结构和室温热电性能的影响 | 第67-73页 |
| 4.4.1 Co_4Sb_(11.7-y)Te_ySn_(0.3)的相结构 | 第67页 |
| 4.4.2 Co_4Sb_(11.7-y)Te_ySn_(0.3)的高分辨透射电子显微图片分析 | 第67-69页 |
| 4.4.3 不同压力合成Co_4Sb_(11.7-y)Te_ySn_(0.3)的电输运性能的研究 | 第69-70页 |
| 4.4.4 不同压力合成Co_4Sb_(11.7-y)Te_ySn_(0.3)的热输运性能的研究 | 第70-71页 |
| 4.4.5 Co_4Sb_(11.7-y)Te_ySn_(0.3)的Z值与合成压力之间的关系 | 第71-73页 |
| 4.5 本章小结 | 第73-75页 |
| 第五章 不同压力制备Te-Se双置换掺杂型CoSb_3基热电材料及其热电性能的研究 | 第75-83页 |
| 5.1 引言 | 第75页 |
| 5.2 样品的制备过程 | 第75-76页 |
| 5.3 合成样品的相结构及微观形貌的表征 | 第76-79页 |
| 5.3.1 X射线衍射分析 | 第76页 |
| 5.3.2 样品的透射电子显微图片和能谱的分析 | 第76-77页 |
| 5.3.3 场发射扫描电镜的分析 | 第77-78页 |
| 5.3.4 高分辨透射电子显微图片分析 | 第78-79页 |
| 5.4 Co_4Sb_(11.3)Te_(0.7-x)Se_x室温热电性能与合成压力的变化关系 | 第79-82页 |
| 5.4.1 合成压力对Co_4Sb_(11.3)Te_(0.7-x)Se_x的电输运性能的影响 | 第79-80页 |
| 5.4.2 合成压力对Co_4Sb_(11.3)Te_(0.7-x)Se_x的热输运性能的影响 | 第80-82页 |
| 5.5 小结 | 第82-83页 |
| 第六章 In填充、Te-Ge双置换掺杂型CoSb_3基热电材料的高压制备及其热电性能的研究 | 第83-91页 |
| 6.1 引言 | 第83页 |
| 6.2 样品的制备 | 第83-84页 |
| 6.3 合成样品的相结构及微观形貌的表征 | 第84-86页 |
| 6.4 不同压力合成In_(0.1)Co_4Sb_(11)Te_(0.8)Ge_(0.2)的热电性能的研究 | 第86-89页 |
| 6.4.1 不同压力合成In_(0.1)Co_4Sb_(11)Te_(0.8)Ge_(0.2)的电输运性能研究 | 第86-88页 |
| 6.4.2 不同压力合成In_(0.1)Co_4Sb_(11)Te_(0.8)Ge_(0.2)的热输运性能研究 | 第88-89页 |
| 6.5 不同压力合成In_(0.1)Co_4Sb_(11)Te_(0.8)Ge_(0.2)的ZT值的研究 | 第89-90页 |
| 6.6 小结 | 第90-91页 |
| 第七章 碳纳米管分散于Co_4Sb_(11.5)Te_(0.5)热电材料的高压制备及其热电性能的研究 | 第91-105页 |
| 7.1 引言 | 第91页 |
| 7.2 碳纳米管简介 | 第91-92页 |
| 7.3 Co_4Sb_(11.5)Te_(0.5)+0.25vol%CNTs样品的制备 | 第92页 |
| 7.4 Co_4Sb_(11.5)Te_(0.5)+0.25vol%CNTs的相结构及微观形貌的表征 | 第92-97页 |
| 7.4.1 X射线衍射分析 | 第92-94页 |
| 7.4.2 场发射扫描电镜的分析 | 第94-95页 |
| 7.4.3 高分辨透射电子显微图片分析 | 第95-96页 |
| 7.4.4 样品中CNTs场发射扫描电镜的照片分析 | 第96-97页 |
| 7.5 不同压力合成Co_4Sb_(11.5)Te_(0.5)+0.25vol%CNTs的热电性能研究 | 第97-101页 |
| 7.5.1 不同压力合成Co_4Sb_(11.5)Te_(0.5)+0.25vol%CNTs的电输运性能研究 | 第97-100页 |
| 7.5.2 不同压力合成Co_4Sb_(11.5)Te_(0.5)+0.25vol%CNTs的热输运性能研究 | 第100-101页 |
| 7.6 不同压力合成Co_4Sb_(11.5)Te_(0.5)+0.25vol%CNTs的ZT值研究 | 第101-103页 |
| 7.7 小结 | 第103-105页 |
| 第八章 结论与展望 | 第105-111页 |
| 8.1 结论 | 第105-109页 |
| 8.2 展望 | 第109-111页 |
| 参考文献 | 第111-121页 |
| 个人简历 | 第121-123页 |
| 攻读博士学位期间公开发表的学术论文 | 第123-125页 |
| 致谢 | 第125-126页 |
