| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-31页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 一维ZnO纳米材料简介 | 第12-14页 |
| 1.2.1 一维ZnO纳米材料的特性 | 第12页 |
| 1.2.2 一维ZnO纳米材料的应用 | 第12-14页 |
| 1.3 金属半导体接触 | 第14-22页 |
| 1.3.1 一维纳米肖特基势垒测量 | 第15-16页 |
| 1.3.2 一维纳米肖特基输运的研究 | 第16-18页 |
| 1.3.3 一维纳米肖特势垒的调控手段 | 第18-20页 |
| 1.3.4 一维肖特基器件的应用 | 第20-22页 |
| 1.4 一维纳米肖特基势垒结构的研究 | 第22-24页 |
| 1.5 目前存在的问题 | 第24页 |
| 1.6 本论文研究意义和思路和主要内容 | 第24-26页 |
| 1.6.1 研究的意义和思路 | 第24-25页 |
| 1.6.2 主要内容 | 第25-26页 |
| 参考文献 | 第26-31页 |
| 第二章 ZnO纳米带/线肖特基器件的构筑与模拟方法简介 | 第31-44页 |
| 2.1 引言 | 第31-32页 |
| 2.2 ZnO纳米带的制备和表征 | 第32-35页 |
| 2.2.1 ZnO纳米带的制备 | 第32页 |
| 2.2.2 ZnO纳米带的表征 | 第32-35页 |
| 2.3 单根ZnO纳米带器件的构筑 | 第35-37页 |
| 2.3.1 纳米器件的组装原理 | 第35页 |
| 2.3.2 单根ZnO纳米带的组装过程 | 第35-37页 |
| 2.4 理论模拟方法简介 | 第37-40页 |
| 2.4.1 利用ATLAS对器件模拟分析的一般步骤 | 第37-38页 |
| 2.4.2 主要的物理模型和方程 | 第38-39页 |
| 2.4.3 二维肖特基器件结构模型 | 第39-40页 |
| 2.5 本章小结 | 第40-41页 |
| 参考文献 | 第41-44页 |
| 第三章 ZnO纳米带/线肖特基器件势垒微区的测量和模拟 | 第44-58页 |
| 3.1 引言 | 第44-45页 |
| 3.2 ZnO纳米带/线器件微区电势的测量 | 第45-49页 |
| 3.2.1 ZnO纳米带/线测量的原理 | 第45页 |
| 3.2.2 实验的方法和过程 | 第45-46页 |
| 3.2.3 结果与讨论 | 第46-49页 |
| 3.3 ZnO纳米线器件的电势测量与模拟 | 第49-55页 |
| 3.4 本章小结 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-58页 |
| 第四章 ZnO纳米带/线肖特基器件输运特性的研究 | 第58-71页 |
| 4.1 引言 | 第58页 |
| 4.2 隧穿模型下的器件的电学性质 | 第58-65页 |
| 4.2.1 不同偏压下的输运特性 | 第58-62页 |
| 4.2.2 电极长度对器件输运特性的影响 | 第62-63页 |
| 4.2.3 不同掺杂浓度对器件输运的影响 | 第63-65页 |
| 4.3 迁移率模型下器件的电学性质 | 第65-68页 |
| 4.4 本章小结 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-71页 |
| 总结与展望 | 第71-73页 |
| 攻读硕士学位期间完成的工作 | 第73-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
