中文摘要 | 第3-5页 |
英文摘要 | 第5-6页 |
1 绪论 | 第10-20页 |
1.1 研究背景 | 第10-17页 |
1.1.1 缓蚀剂 | 第10-15页 |
1.1.2 半导体材料的物性 | 第15-17页 |
1.2 选题意义和研究内容 | 第17-18页 |
1.3 本文需要解决的关键问题 | 第18页 |
1.4 论文的内容安排 | 第18-20页 |
2 理论基础介绍 | 第20-38页 |
2.1 量子力学方法 | 第21-30页 |
2.1.1 Born-Oppenheimer近似 | 第22页 |
2.1.2 Hartree-Fock近似 | 第22页 |
2.1.3 密度泛函理论 (DFT) | 第22-24页 |
2.1.4 色散力在DFT中的描述 | 第24-25页 |
2.1.5 基组的选择 | 第25-26页 |
2.1.6 赝势平面波方法 | 第26-27页 |
2.1.7 基于DFT的反应活性指数 | 第27-29页 |
2.1.8 溶剂化模型 | 第29-30页 |
2.2 分子力学方法 | 第30-32页 |
2.2.1 势能函数形式 | 第30-31页 |
2.2.2 常见力场类型 | 第31-32页 |
2.3 分子动力学模拟 | 第32-33页 |
2.3.1 基本原理 | 第32页 |
2.3.2 统计系综 | 第32-33页 |
2.4 计算软件简介 | 第33-38页 |
2.4.1 Gaussian软件 | 第33页 |
2.4.2 Material Studio软件 | 第33-38页 |
3 几种有机缓蚀剂对碳钢的缓蚀机理 | 第38-70页 |
3.1 含肟醚基三氮唑化合物 | 第38-53页 |
3.1.1 背景介绍 | 第38-39页 |
3.1.2 计算模型与方法 | 第39页 |
3.1.3 结果与讨论 | 第39-53页 |
3.2 二氨基噻唑 | 第53-64页 |
3.2.1 实验材料及电化学测试 | 第53-54页 |
3.2.2 实验结果 | 第54-59页 |
3.2.3 理论分析 | 第59-64页 |
3.3 噻吩、吡咯和呋喃 | 第64-69页 |
3.3.1 引言 | 第64-65页 |
3.3.2 计算细节 | 第65页 |
3.3.3 结果与讨论 | 第65-69页 |
3.4 本章小结 | 第69-70页 |
4 三种唑类缓蚀剂对黄铜的缓蚀作用 | 第70-86页 |
4.1 研究背景 | 第70页 |
4.2 计算模型与方法 | 第70-72页 |
4.3 结果与讨论 | 第72-83页 |
4.3.1 分子活性分析 | 第72-75页 |
4.3.2 铜表面的选择 | 第75-76页 |
4.3.3 三种分子在铜表面的吸附 | 第76-80页 |
4.3.4 腐蚀粒子在缓蚀剂膜层中的扩散 | 第80-82页 |
4.3.5 吸附与缓蚀机制 | 第82-83页 |
4.4 本章小结 | 第83-86页 |
5 若干新型半导体材料物性第一性原理研究 | 第86-120页 |
5.1 CdX (X = S, Se, Te) 材料 | 第86-100页 |
5.1.1 引言 | 第86页 |
5.1.2 计算模型与方法 | 第86-87页 |
5.1.3 结果与讨论 | 第87-100页 |
5.2 CdRh2O4 材料 | 第100-107页 |
5.2.1 引言 | 第100页 |
5.2.2 理论方法与模型 | 第100-101页 |
5.2.3 计算结果与讨论 | 第101-107页 |
5.3 β-AgMO2 (M = Al and Ga) 材料 | 第107-118页 |
5.3.1 研究背景 | 第107-108页 |
5.3.2 理论方法与模型 | 第108-109页 |
5.3.3 计算结果与讨论 | 第109-118页 |
5.4 本章小结 | 第118-120页 |
6 总结和展望 | 第120-122页 |
6.1 主要完成的工作 | 第120-121页 |
6.2 对未来工作的展望 | 第121-122页 |
致谢 | 第122-124页 |
参考文献 | 第124-142页 |
附录 | 第142-144页 |
A. 作者在攻读博士学位期间发表的论文目录 | 第142-144页 |
B. 作者在攻读博士学位期间主持和参加科研项目情况 | 第144页 |
C. 作者在攻读博士学位期间获奖情况 | 第144页 |