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含杂环有机缓蚀剂缓蚀机理及新型半导体材料物性的理论研究

中文摘要第3-5页
英文摘要第5-6页
1 绪论第10-20页
    1.1 研究背景第10-17页
        1.1.1 缓蚀剂第10-15页
        1.1.2 半导体材料的物性第15-17页
    1.2 选题意义和研究内容第17-18页
    1.3 本文需要解决的关键问题第18页
    1.4 论文的内容安排第18-20页
2 理论基础介绍第20-38页
    2.1 量子力学方法第21-30页
        2.1.1 Born-Oppenheimer近似第22页
        2.1.2 Hartree-Fock近似第22页
        2.1.3 密度泛函理论 (DFT)第22-24页
        2.1.4 色散力在DFT中的描述第24-25页
        2.1.5 基组的选择第25-26页
        2.1.6 赝势平面波方法第26-27页
        2.1.7 基于DFT的反应活性指数第27-29页
        2.1.8 溶剂化模型第29-30页
    2.2 分子力学方法第30-32页
        2.2.1 势能函数形式第30-31页
        2.2.2 常见力场类型第31-32页
    2.3 分子动力学模拟第32-33页
        2.3.1 基本原理第32页
        2.3.2 统计系综第32-33页
    2.4 计算软件简介第33-38页
        2.4.1 Gaussian软件第33页
        2.4.2 Material Studio软件第33-38页
3 几种有机缓蚀剂对碳钢的缓蚀机理第38-70页
    3.1 含肟醚基三氮唑化合物第38-53页
        3.1.1 背景介绍第38-39页
        3.1.2 计算模型与方法第39页
        3.1.3 结果与讨论第39-53页
    3.2 二氨基噻唑第53-64页
        3.2.1 实验材料及电化学测试第53-54页
        3.2.2 实验结果第54-59页
        3.2.3 理论分析第59-64页
    3.3 噻吩、吡咯和呋喃第64-69页
        3.3.1 引言第64-65页
        3.3.2 计算细节第65页
        3.3.3 结果与讨论第65-69页
    3.4 本章小结第69-70页
4 三种唑类缓蚀剂对黄铜的缓蚀作用第70-86页
    4.1 研究背景第70页
    4.2 计算模型与方法第70-72页
    4.3 结果与讨论第72-83页
        4.3.1 分子活性分析第72-75页
        4.3.2 铜表面的选择第75-76页
        4.3.3 三种分子在铜表面的吸附第76-80页
        4.3.4 腐蚀粒子在缓蚀剂膜层中的扩散第80-82页
        4.3.5 吸附与缓蚀机制第82-83页
    4.4 本章小结第83-86页
5 若干新型半导体材料物性第一性原理研究第86-120页
    5.1 CdX (X = S, Se, Te) 材料第86-100页
        5.1.1 引言第86页
        5.1.2 计算模型与方法第86-87页
        5.1.3 结果与讨论第87-100页
    5.2 CdRh2O4 材料第100-107页
        5.2.1 引言第100页
        5.2.2 理论方法与模型第100-101页
        5.2.3 计算结果与讨论第101-107页
    5.3 β-AgMO2 (M = Al and Ga) 材料第107-118页
        5.3.1 研究背景第107-108页
        5.3.2 理论方法与模型第108-109页
        5.3.3 计算结果与讨论第109-118页
    5.4 本章小结第118-120页
6 总结和展望第120-122页
    6.1 主要完成的工作第120-121页
    6.2 对未来工作的展望第121-122页
致谢第122-124页
参考文献第124-142页
附录第142-144页
    A. 作者在攻读博士学位期间发表的论文目录第142-144页
    B. 作者在攻读博士学位期间主持和参加科研项目情况第144页
    C. 作者在攻读博士学位期间获奖情况第144页

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