| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-38页 |
| 1.1 过渡金属硫属化物简介 | 第10-13页 |
| 1.2 合成过渡金属硫属化物的方法 | 第13-18页 |
| 1.2.1 自上而下的方法 | 第14-16页 |
| 1.2.2 自下而上的方法 | 第16-18页 |
| 1.3 过渡金属硫属化物的表征手段 | 第18-19页 |
| 1.4 过渡金属硫属化物的电学输运和器件 | 第19-27页 |
| 1.4.1 作为电子器件的材料 | 第19-21页 |
| 1.4.2 电学输运和散射机理 | 第21-22页 |
| 1.4.3 过渡金属硫属化物晶体管 | 第22-24页 |
| 1.4.4 光电子器件 | 第24-26页 |
| 1.4.5 TMDs作为催化剂 | 第26-27页 |
| 1.5 本文的选题背景与研究内容 | 第27-28页 |
| 参考文献 | 第28-38页 |
| 第二章 在SiO_2/Si衬底上合成大面积单层WSe_2及其器件应用研究 | 第38-50页 |
| 2.1 引言 | 第38页 |
| 2.2 实验部分 | 第38-40页 |
| 2.2.1 实验原料 | 第38-39页 |
| 2.2.3 样品的结构表征 | 第39页 |
| 2.2.4 场效应管器件的制备 | 第39-40页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第40-45页 |
| 2.3.1 单层WSe_2的生长机理与形貌 | 第40-42页 |
| 2.3.2 单层WSe_2的结构与组成 | 第42-44页 |
| 2.3.3 单层WSe_2的电学与光响应性能 | 第44-45页 |
| 2.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-50页 |
| 第三章 可调控带隙的单层WSe_(2(1-x))S_(2x)的合成及电学性能研究 | 第50-62页 |
| 3.1 引言 | 第50-51页 |
| 3.2 实验部分 | 第51-52页 |
| 3.2.1 实验原料 | 第51页 |
| 3.2.2 WSe_(2(1-x))S_(2x)的合成与表征 | 第51页 |
| 3.2.3 单层WSe_(2(1-x))S_(2x)带隙的理论计算方法 | 第51-52页 |
| 3.2.4 FET器件的加工 | 第52页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第52-58页 |
| 3.4 本章小结 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-62页 |
| 第四章 结论与展望 | 第62-64页 |
| 4.1 结论 | 第62页 |
| 4.2 展望 | 第62-64页 |
| 攻读硕士期间发表论文情况 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
