| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第1章 引言 | 第8-18页 |
| 1.1 非晶硅半导体概述 | 第9-10页 |
| 1.2 a-Si:H波导的结构 | 第10-13页 |
| 1.2.1 氢原子的成键模式 | 第11页 |
| 1.2.2 a-Si:H波导的结构及耦合方法 | 第11-12页 |
| 1.2.3 a-Si:H波导的非线性性质及其应用 | 第12-13页 |
| 1.3 全光波长转换器的分类和研究进展 | 第13-16页 |
| 1.3.1 基于SOA的全光波长转换技术 | 第15页 |
| 1.3.2 基于激光器的全光波长转换技术 | 第15-16页 |
| 1.3.3 基于光纤的全光波长转换技术 | 第16页 |
| 1.4 本文主要研究内容 | 第16-18页 |
| 第2章 氢化非晶硅波导中非线性效应理论分析 | 第18-34页 |
| 2.1 非线性传输理论 | 第18-22页 |
| 2.2 a-Si:H波导中非线性效应简介 | 第22-24页 |
| 2.3 四波混频理论分析 | 第24-27页 |
| 2.3.1 FWM效应起源 | 第24-25页 |
| 2.3.2 FWM耦合波方程及求解 | 第25-26页 |
| 2.3.3 准相位匹配 | 第26-27页 |
| 2.4 波导色散 | 第27-33页 |
| 2.5 本章小结 | 第33-34页 |
| 第3章 氢化非晶硅波导中宽带波长转换的研究 | 第34-46页 |
| 3.1 引用 | 第34-35页 |
| 3.2 a-Si:H波导的结构和色散调整 | 第35-37页 |
| 3.2.1 波导的结构设计 | 第35页 |
| 3.2.2 波导的色散调控 | 第35-37页 |
| 3.3 a-Si:H-Si_3N_4波导的特征参数 | 第37-39页 |
| 3.4 线性相位失配与波长转换 | 第39-42页 |
| 3.5 相位失配与波长转换 | 第42-43页 |
| 3.6 a-Si:H-Si_3N_4波导和a-Si:H波导的对比研究 | 第43-44页 |
| 3.7 本章小结 | 第44-46页 |
| 第4章 基于氢化非晶硅波导中红外波长转换的研究 | 第46-54页 |
| 4.1 引用 | 第46页 |
| 4.2 脊形波导的色散特性 | 第46-50页 |
| 4.3 脊形波导中红外波长转换 | 第50-53页 |
| 4.4 本章小结 | 第53-54页 |
| 第5章 总结与展望 | 第54-56页 |
| 5.1 全文总结 | 第54-55页 |
| 5.2 展望 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-68页 |
| 附录 | 第68-70页 |
| 致谢 | 第70-72页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第72页 |