| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第11-23页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第11-12页 |
| 1.2 红外热成像检测技术 | 第12-13页 |
| 1.2.1 脉冲红外热成像检测技术 | 第12页 |
| 1.2.2 超声红外热成像检测技术 | 第12-13页 |
| 1.2.3 锁相红外热成像技术 | 第13页 |
| 1.3 锁相红外热成像检测技术 | 第13-20页 |
| 1.3.1 锁相红外热成像检测技术原理 | 第13-14页 |
| 1.3.2 锁相红外热成像技术检测太阳能电池的方法 | 第14-16页 |
| 1.3.3 锁相红外热成像检测技术的应用 | 第16-20页 |
| 1.3.4 锁相热成像检测技术的优点 | 第20页 |
| 1.4 国内外的发展现状 | 第20-22页 |
| 1.4.1 国外的发展现状 | 第20-21页 |
| 1.4.2 国内的发展现状 | 第21-22页 |
| 1.5 本课题研究的目的和内容 | 第22-23页 |
| 1.5.1 研究目的 | 第22页 |
| 1.5.2 研究内容 | 第22-23页 |
| 2 硅太阳能电池原理及缺陷检测技术 | 第23-30页 |
| 2.1 硅太阳能电池的基本结构 | 第23页 |
| 2.2 硅太阳能电池的分类 | 第23-25页 |
| 2.2.1 单晶硅太阳能电池 | 第23-24页 |
| 2.2.2 多晶硅太阳能电池 | 第24页 |
| 2.2.3 薄膜硅太阳能电池 | 第24-25页 |
| 2.3 硅太阳能电池的光电特性 | 第25-26页 |
| 2.4 硅太阳能电池的制作工艺 | 第26-27页 |
| 2.5 硅太阳能电池缺陷的分类 | 第27-28页 |
| 2.6 硅太阳能电池漏电流产生的原因及影响 | 第28页 |
| 2.7 硅太阳能电池缺陷的检测方法 | 第28-30页 |
| 3 单晶硅电池的检测及分析 | 第30-48页 |
| 3.1 锁相红外热成像检测系统及参数设置 | 第30-31页 |
| 3.1.1 实验装置图 | 第30页 |
| 3.1.2 红外热像仪的工作原理 | 第30-31页 |
| 3.1.3 仪器的参数设置 | 第31页 |
| 3.2 硅太阳能电池基本参数的检测 | 第31-33页 |
| 3.2.1 测试原理 | 第31-32页 |
| 3.2.2 检测结果 | 第32-33页 |
| 3.3 硅太阳能电池失效检测 | 第33-35页 |
| 3.3.1 Corescan检测原理 | 第33页 |
| 3.3.2 扫描参数的设定 | 第33-34页 |
| 3.3.3 串并联电阻与漏电流的关系 | 第34-35页 |
| 3.4 锁相红外热成像技术对单晶硅电池的检测 | 第35-41页 |
| 3.4.1 锁相红外热成像技术对单晶硅电池A的检测 | 第35-38页 |
| 3.4.1.1 暗电流锁相红外技术对单晶硅电池A的检测 | 第35-36页 |
| 3.4.1.2 LED光锁相红外热成像技术对单晶硅电池A的检测 | 第36-37页 |
| 3.4.1.3 Infrared光锁相红外热成像技术对单晶硅电池A的检测 | 第37-38页 |
| 3.4.2 锁相红外热成像技术对单晶硅电池B的检测 | 第38-41页 |
| 3.4.2.1 暗电流锁相红外热成像技术对单晶硅电池B的检测 | 第38-39页 |
| 3.4.2.2 LED光锁相红外热成像技术对单晶硅电池B的检测 | 第39-40页 |
| 3.4.2.3 Infrared光锁相红外热成像技术对单晶硅电池B的检测 | 第40-41页 |
| 3.5 用Corescan技术检测单晶硅太阳能电池 | 第41-42页 |
| 3.6 单晶硅太阳能电池的温度-时间图像分析 | 第42-43页 |
| 3.7 单晶硅太阳能电池缺陷的计算 | 第43-46页 |
| 3.8 小结 | 第46-48页 |
| 4 锁相红外热成像技术对其他硅电池的检测 | 第48-66页 |
| 4.1 锁相红外热成像技术对多晶硅电池的检测 | 第48-58页 |
| 4.1.1 锁相红外热成像技术对多晶硅电池A的检测 | 第48-51页 |
| 4.1.1.1 暗电流锁相红外热成像技术对多晶硅电池A的检测 | 第48-49页 |
| 4.1.1.2 LED光锁相红外热成像技术对多晶硅电池A的检测 | 第49-50页 |
| 4.1.1.3 Infrared光锁相红外热成像技术对多晶硅电池A的检测 | 第50-51页 |
| 4.1.2 锁相红外热成像技术对多晶硅电池B的检测 | 第51-53页 |
| 4.1.2.1 暗电流锁相红外热成像技术对多晶硅电池B的检测 | 第51-52页 |
| 4.1.2.2 LED光锁相红外热成像技术对多晶硅电池B的检测 | 第52-53页 |
| 4.1.2.3 Infrared光锁相红外热成像技术对多晶硅电池B的检测 | 第53页 |
| 4.1.3 用Corescan方法检测多晶硅太阳能电池 | 第53-54页 |
| 4.1.4 多晶硅太阳能电池的温度-时间图像分析 | 第54-55页 |
| 4.1.5 多晶硅太阳能电池缺陷的计算 | 第55-58页 |
| 4.2 锁相红外热成像法对薄膜硅太阳能电池的检测 | 第58-64页 |
| 4.2.1 暗电流锁相红外热成像技术对薄膜硅电池的检测 | 第58-59页 |
| 4.2.2 LED光锁相红外热成像技术对薄膜硅电池的检测 | 第59-60页 |
| 4.2.3 Infrared光锁相红外热成像技术对薄膜硅电池的检测 | 第60页 |
| 4.2.4 薄膜硅太阳能电池的温度-时间图像分析 | 第60-62页 |
| 4.2.5 薄膜硅太阳能电池缺陷的计算 | 第62-64页 |
| 4.3 小结 | 第64-66页 |
| 总结与展望 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-74页 |
| 发表论文情况 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75页 |
