| 摘要 | 第2-3页 |
| Abstract | 第3-4页 |
| 引言 | 第7-8页 |
| 1 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 半导体光催化原理 | 第8-9页 |
| 1.2 ZnO和TiO_2基本性质 | 第9-12页 |
| 1.3 提高光催化性能的方法 | 第12-14页 |
| 1.3.1 金属离子掺杂 | 第12页 |
| 1.3.2 非金属离子掺杂 | 第12-13页 |
| 1.3.3 表面贵金属沉积 | 第13页 |
| 1.3.4 复合半导体 | 第13-14页 |
| 2 薄膜制备与分析方法 | 第14-23页 |
| 2.1 薄膜制备技术 | 第14-17页 |
| 2.1.1 磁控溅射法 | 第14-15页 |
| 2.1.2 实验设备 | 第15-17页 |
| 2.2 薄膜分析方法 | 第17-23页 |
| 2.2.1 电子探针分析仪（EPMA） | 第17页 |
| 2.2.2 X射线衍射（XRD） | 第17-19页 |
| 2.2.3 透射电子显微镜（TEM） | 第19-20页 |
| 2.2.4 光致发光光谱（PL光谱） | 第20页 |
| 2.2.5 X射线光电子谱（XPS） | 第20-21页 |
| 2.2.6 光催化实验装置 | 第21-23页 |
| 3 Gd掺杂ZnO薄膜的制备及性能的表征 | 第23-36页 |
| 3.1 Gd掺杂ZnO薄膜的制备方法 | 第23页 |
| 3.2 Gd掺杂ZnO薄膜的表征手段 | 第23页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第23-34页 |
| 3.3.1 Gd掺杂ZnO薄膜的微观形貌 | 第23-26页 |
| 3.3.2 Gd掺杂ZnO薄膜的晶体结构 | 第26-28页 |
| 3.3.3 Gd掺杂ZnO薄膜的X射线光电子谱 | 第28-29页 |
| 3.3.4 Gd掺杂ZnO薄膜的透射光谱 | 第29-31页 |
| 3.3.5 Gd掺杂ZnO薄膜的光致荧光光谱 | 第31-32页 |
| 3.3.6 Gd掺杂ZnO薄膜的光催化性能 | 第32-34页 |
| 3.4 本章小结 | 第34-36页 |
| 4. 不同沉积温度的N掺杂TiO_2薄膜的制备与性能表征 | 第36-46页 |
| 4.1 N掺杂TiO_2薄膜的制备 | 第36页 |
| 4.2 N掺杂TiO_2薄膜的表征方法 | 第36页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第36-44页 |
| 4.3.1 N掺杂TiO_2薄膜的晶体结构 | 第36-37页 |
| 4.3.2 N掺杂TiO_2薄膜的X射线光电子谱 | 第37-39页 |
| 4.3.3 N掺杂TiO_2薄膜的微观形貌 | 第39-40页 |
| 4.3.4 N掺杂TiO_2薄膜的透射光谱 | 第40-41页 |
| 4.3.5 N掺杂TiO_2薄膜的光致发光光谱 | 第41-42页 |
| 4.3.6 N掺杂TiO_2薄膜的光催化性能 | 第42-44页 |
| 4.4 本章小结 | 第44-46页 |
| 结论 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-52页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第52-53页 |
| 致谢 | 第53-55页 |