| 摘要 | 第4-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第14-25页 |
| 1.1 黑硅概述 | 第14-18页 |
| 1.1.1 黑硅的制备方法 | 第14-17页 |
| 1.1.1.1 飞秒激光脉冲法 | 第14-15页 |
| 1.1.1.2 RIE法 | 第15-16页 |
| 1.1.1.3 MACE法 | 第16页 |
| 1.1.1.4 电化学腐蚀法 | 第16-17页 |
| 1.1.2 黑硅的性能 | 第17-18页 |
| 1.1.2.1 发光特性 | 第17页 |
| 1.1.2.2 场致发射特性 | 第17-18页 |
| 1.1.2.3 辐射太赫兹特性 | 第18页 |
| 1.1.2.4 光吸收特性 | 第18页 |
| 1.2 太阳电池简介 | 第18-23页 |
| 1.2.1 晶硅太阳电池 | 第18-20页 |
| 1.2.2 SIS太阳电池 | 第20-23页 |
| 1.2.2.1 透明导电氧化物的优势 | 第21页 |
| 1.2.2.2 转换效率损失 | 第21页 |
| 1.2.2.3 SIS太阳电池研究现状 | 第21-22页 |
| 1.2.2.4 SIS太阳电池存在问题 | 第22-23页 |
| 1.3 课题研究内容及目标 | 第23-25页 |
| 1.3.1 课题研究内容 | 第23-24页 |
| 1.3.2 研究目标 | 第24-25页 |
| 第二章 材料制备及性能测试表征 | 第25-36页 |
| 2.1 主要实验设备及原料 | 第25-26页 |
| 2.2 实验方法 | 第26-29页 |
| 2.2.1 硅片清洗 | 第26页 |
| 2.2.2 硅片去损伤 | 第26页 |
| 2.2.3 SiO_2微球合成 | 第26-28页 |
| 2.2.4 RIE掩膜法制备黑硅 | 第28页 |
| 2.2.5 黑硅钝化 | 第28-29页 |
| 2.2.6 SIS太阳电池的制备 | 第29页 |
| 2.3 表征设备及原理 | 第29-36页 |
| 2.3.1 表征设备 | 第29-30页 |
| 2.3.2 激光粒度仪 | 第30页 |
| 2.3.3 扫描电镜 | 第30-31页 |
| 2.3.4 紫外-可见分光光度计 | 第31-32页 |
| 2.3.5 少子寿命测试仪 | 第32页 |
| 2.3.6 霍尔测试仪 | 第32-33页 |
| 2.3.7 X射线衍射仪 | 第33-34页 |
| 2.3.8 太阳电池I-V特性测试仪 | 第34-36页 |
| 第三章 SiO_2掩膜的制备 | 第36-45页 |
| 3.1 引言 | 第36页 |
| 3.2 SiO_2微球的合成 | 第36-40页 |
| 3.2.1 电解质对SiO_2微球粒径的影响 | 第36-39页 |
| 3.2.2 电解质对SiO_2微球比表面积的影响 | 第39-40页 |
| 3.3 旋涂参数对制备SiO_2掩膜的影响 | 第40-43页 |
| 3.3.1 旋涂液浓度对制备单层SiO_2掩膜的影响 | 第40-42页 |
| 3.3.2 旋涂速度对制备SiO_2掩膜的影响 | 第42-43页 |
| 3.4 本章小结 | 第43-45页 |
| 第四章 RIE掩膜法制备黑硅及其钝化 | 第45-60页 |
| 4.1 引言 | 第45页 |
| 4.2 黑硅的制备 | 第45-51页 |
| 4.2.1 刻蚀功率对黑硅结构和光学性能的影响 | 第46-47页 |
| 4.2.2 SF6/O_2流量对黑硅结构和光学性能的影响 | 第47-49页 |
| 4.2.3 刻蚀时间对黑硅结构和光学性能的影响 | 第49-51页 |
| 4.3 RIE掩膜法制备黑硅的机理 | 第51-52页 |
| 4.4 黑硅性能理论模拟 | 第52-55页 |
| 4.4.1 不同形貌黑硅的反射率模拟 | 第53-54页 |
| 4.4.2 纳米结构的陷光性能 | 第54页 |
| 4.4.3 圆台结构的陷光性能 | 第54-55页 |
| 4.5 黑硅的去损伤与钝化 | 第55-59页 |
| 4.5.1 黑硅的去损伤 | 第55-57页 |
| 4.5.2 黑硅的钝化 | 第57-59页 |
| 4.6 本章小结 | 第59-60页 |
| 第五章 SIS太阳电池的制备 | 第60-68页 |
| 5.1 引言 | 第60页 |
| 5.2 ITO的制备 | 第60-65页 |
| 5.2.1 衬底温度对ITO薄膜结构的影响 | 第61-62页 |
| 5.2.2 衬底温度对ITO薄膜光学性能的影响 | 第62-63页 |
| 5.2.3 衬底温度对制备ITO薄膜电学性能的影响 | 第63-65页 |
| 5.3 ITO沉积温度对SIS太阳电池的影响 | 第65-66页 |
| 5.4 H_2O_2氧化时间对SIS太阳电池的影响 | 第66-67页 |
| 5.5 本章小结 | 第67-68页 |
| 第六章 结论与展望 | 第68-70页 |
| 6.1 结论 | 第68-69页 |
| 6.2 展望 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-77页 |
| 致谢 | 第77-78页 |
| 在校期间的研究成果及发表的学术论文 | 第78页 |
