| 摘要 | 第2-3页 |
| Abstract | 第3-4页 |
| 1 引言 | 第7-15页 |
| 1.1 选题背景 | 第7页 |
| 1.2 高熵合金的概念 | 第7-8页 |
| 1.3 高熵合金的特性 | 第8-11页 |
| 1.3.1 合金效应 | 第8-10页 |
| 1.3.2 合金性能 | 第10-11页 |
| 1.4 高熵合金薄膜的分类与制备方法 | 第11-12页 |
| 1.4.1 高熵合金薄膜的分类 | 第11页 |
| 1.4.2 高熵合金的制备方法 | 第11-12页 |
| 1.5 高熵合金薄膜的研究现状 | 第12-14页 |
| 1.6 研究内容及研究意义 | 第14-15页 |
| 1.6.1 研究内容 | 第14页 |
| 1.6.2 研究意义 | 第14-15页 |
| 2 实验方案及薄膜表征方法 | 第15-22页 |
| 2.1 实验设备 | 第15-16页 |
| 2.2 薄膜元素的选取 | 第16-17页 |
| 2.3 薄膜的制备及热处理 | 第17-21页 |
| 2.3.1 基底材料的选择及预处理 | 第17-18页 |
| 2.3.2 靶材的设计 | 第18-19页 |
| 2.3.3 磁控溅射镀膜的工艺过程 | 第19-20页 |
| 2.3.4 薄膜的热处理工艺 | 第20-21页 |
| 2.4 高熵合金薄膜的表征 | 第21-22页 |
| 2.4.1 薄膜厚度的表征 | 第21页 |
| 2.4.2 薄膜化学成分的表征 | 第21页 |
| 2.4.3 薄膜晶体结构的表征 | 第21页 |
| 2.4.4 薄膜表面形貌的表征 | 第21页 |
| 2.4.5 薄膜力学性能表征 | 第21-22页 |
| 3 衬底偏压对AlCrWTaTiNb高熵合金薄膜的影响 | 第22-31页 |
| 3.1 基底偏压对薄膜化学成分的影响 | 第22-23页 |
| 3.2 基底偏压对薄膜沉积速率的影响 | 第23-24页 |
| 3.3 基底偏压对薄膜晶体结构的影响 | 第24-25页 |
| 3.4 基底偏压对薄膜表面形貌的影响 | 第25-28页 |
| 3.5 基底偏压对薄膜力学性能的影响 | 第28-31页 |
| 4 衬底温度对AlCrWTaTiNb高熵合金薄膜的影响 | 第31-39页 |
| 4.1 衬底温度对薄膜化学成分的影响 | 第31-32页 |
| 4.2 衬底温度对薄膜沉积速率的影响 | 第32-34页 |
| 4.3 衬底温度对薄膜晶体结构的影响 | 第34-35页 |
| 4.4 衬底温度对薄膜表面形貌的影响 | 第35-36页 |
| 4.5 衬底温度对薄膜力学性能的影响 | 第36-39页 |
| 5 退火温度对AlCrWTaTiNb高熵合金薄膜的影响 | 第39-47页 |
| 5.1 退火温度对薄膜化学成分的影响 | 第39-40页 |
| 5.2 退火温度对薄膜晶体结构的影响 | 第40-41页 |
| 5.3 退火温度对薄膜表面形貌的影响 | 第41-44页 |
| 5.4 退火温度对薄膜力学性能的影响 | 第44-47页 |
| 结论 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-52页 |
| 致谢 | 第52-54页 |
