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Bi2Te3晶界性质调控的热电薄膜性能研究

摘要第5-7页
Abstract第7-8页
第1章 绪论第11-24页
    1.1 引言第11-12页
    1.2 热电材料的发展历史第12-14页
    1.3 Bi_2Te_3基热电材料研究进展第14-16页
    1.4 热电性能参数第16-21页
        1.4.1 热电优值(ZT)第16-18页
        1.4.2 热电转换效率第18-19页
        1.4.3 载流子浓度第19页
        1.4.4 Seebeck系数第19-21页
    1.5 热电性能优化方法第21页
        1.5.1 掺杂第21页
        1.5.2 合金化第21页
        1.5.3 纳米结构第21页
    1.6 课题的研究意义及主要研究内容第21-24页
        1.6.1 本文研究意义第21-22页
        1.6.2 本文研究内容第22-24页
第2章 实验方案及表征方法第24-36页
    2.1 实验方法第25-29页
        2.1.1 磁控溅射技术第25-27页
        2.1.2 电子束蒸发技术第27-28页
        2.1.3 退火处理第28-29页
    2.2 薄膜形貌结构及性能的表征手段第29-33页
        2.2.1 SEM第29-30页
        2.2.2 XRD第30页
        2.2.3 XPS第30-31页
        2.2.4 霍尔测试第31-32页
        2.2.5 Seebeck系数测试第32-33页
    2.3 能垒高度计算第33-36页
第3章 磁控溅射制备n型Bi_2Te_3薄膜及镀Sn后的结构性能研究第36-43页
    3.1 磁控溅射制备Bi_2Te_3薄膜的结构及性能研究第36-39页
        3.1.1 SEM结果分析第36-37页
        3.1.2 XRD结果分析第37页
        3.1.3 性能分析第37-39页
    3.2 Bi_2Te_3薄膜镀Sn后结构及性能研究第39-41页
        3.2.1 SEM结果分析第39-40页
        3.2.2 XRD结果分析第40页
        3.2.3 性能分析第40-41页
    3.3 本章小结第41-43页
第4章 退火和扩散退火对Bi_2Te_3(573 K)薄膜的性能影响与分析第43-51页
    4.1 SEM结果分析第44-45页
    4.2 XRD结果分析第45-47页
    4.3 性能分析第47-49页
    4.4 本章小结第49-51页
第5章 退火和扩散退火对Bi_2Te_3(623 K)薄膜的性能影响与分析第51-60页
    5.1 SEM结果分析第51-52页
    5.2 XRD结果分析第52-53页
    5.3 XPS结果分析第53-54页
    5.4 性能分析第54-57页
    5.5 退火时间对样品性能的影响第57-58页
    5.6 本章小结第58-60页
第6章 结论第60-61页
参考文献第61-67页
在学期间研究成果第67-68页
致谢第68-69页

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