| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-11页 |
| 第二章 文献综述 | 第11-23页 |
| 2.1 ZnS晶相结构 | 第11页 |
| 2.2 ZnS的应用 | 第11-14页 |
| 2.2.1 化工 | 第12页 |
| 2.2.2 陶瓷 | 第12页 |
| 2.2.3 光电 | 第12-13页 |
| 2.2.4 光催化 | 第13页 |
| 2.2.5 红外性能 | 第13页 |
| 2.2.6 气敏性 | 第13页 |
| 2.2.7 太阳能电池 | 第13-14页 |
| 2.3 ZnS的制备方法 | 第14-19页 |
| 2.3.1 ZnS粉体的制备 | 第14-16页 |
| 2.3.1.1 室温一步固相反应 | 第15页 |
| 2.3.1.2 微乳液法 | 第15页 |
| 2.3.1.3 溶胶凝胶法 | 第15页 |
| 2.3.1.4 水热合成法 | 第15-16页 |
| 2.3.2 ZnS薄膜的制备 | 第16-19页 |
| 2.3.2.1 溅射法 | 第16-17页 |
| 2.3.2.2 脉冲激光沉积 | 第17页 |
| 2.3.2.3 分子束蒸发法 | 第17页 |
| 2.3.2.4 化学气相沉积法（CVD） | 第17-18页 |
| 2.3.2.5 电化学沉积法 | 第18页 |
| 2.3.2.6 化学水浴法（CBD） | 第18页 |
| 2.3.2.7 分子束外延法（MBE） | 第18-19页 |
| 2.3.2.8 真空蒸镀法 | 第19页 |
| 2.4 ZnS掺杂改性的研究进展 | 第19-23页 |
| 2.4.1 常用的掺杂技术 | 第19-20页 |
| 2.4.2 主要掺杂元素与掺杂效果 | 第20-23页 |
| 2.4.2.1 金属良导体 | 第20-21页 |
| 2.4.2.2 稀有金属 | 第21-23页 |
| 第三章 实验部分 | 第23-33页 |
| 3.1 ZnS及ZnS:Sm荧光粉的制备与性能表征 | 第23-28页 |
| 3.1.1 实验方法的选取 | 第23-24页 |
| 3.1.1.1 溶剂热法的简介 | 第23-24页 |
| 3.3.1.2 本实验采用溶剂热法的原因 | 第24页 |
| 3.1.2 ZnS及ZnS:Sm粉体的制备 | 第24-26页 |
| 3.1.2.1 实验药品及仪器设备 | 第24-25页 |
| 3.1.2.2 ZnS及ZnS:Sm荧光粉的制备过程 | 第25-26页 |
| 3.1.2.3 ZnS及ZnS:Sm前驱物的制备过程 | 第26页 |
| 3.1.2.4 水热合成 | 第26页 |
| 3.1.2.5 粉体的清洗 | 第26页 |
| 3.1.2.6 粉体的干燥 | 第26页 |
| 3.1.3 实验设计 | 第26-27页 |
| 3.1.4 分析测试方法 | 第27-28页 |
| 3.1.4.1 物相结构分析 | 第27页 |
| 3.1.4.2 微观形貌分析 | 第27-28页 |
| 3.1.4.3 光致荧光光谱分析 | 第28页 |
| 3.1.4.4 成分分析 | 第28页 |
| 3.2 ZnS及ZnS:Sm薄膜的制备与性能表征 | 第28-33页 |
| 3.2.1 实验方法的选取 | 第28-29页 |
| 3.2.1.1 真空蒸镀法的简介 | 第28-29页 |
| 3.2.1.2 本实验采用真空蒸镀法的原因 | 第29页 |
| 3.2.2 ZnS极其掺杂薄膜的制备 | 第29-31页 |
| 3.2.2.1 实验药品及仪器设备 | 第29-30页 |
| 3.2.2.2 ZnS及ZnS:Sm薄膜的制备过程 | 第30-31页 |
| 3.2.3 分析测试方法 | 第31-33页 |
| 3.2.3.1 物相结构分析（XRD） | 第31-32页 |
| 3.2.3.2 微观形貌分析 | 第32-33页 |
| 3.2.3.2.1 SEM | 第32页 |
| 3.2.3.2.2 AFM | 第32页 |
| 3.2.3.2.3 激发光谱和发射光谱 | 第32页 |
| 3.2.3.2.4 透光率（UV-VIS） | 第32页 |
| 3.2.3.2.5 成分分析 | 第32-33页 |
| 第四章 结果与讨论 | 第33-56页 |
| 4.1 溶剂热法制备ZnS及ZnS:Sm荧光粉 | 第33-43页 |
| 4.1.1 反应温度对ZnS及ZnS:Sm荧光粉的影响 | 第33-36页 |
| 4.1.1.1 ZnS荧光粉表面形貌分析 | 第33-34页 |
| 4.1.1.2 ZnS:Sm荧光粉晶相分析 | 第34-35页 |
| 4.1.1.3 ZnS:Sm荧光粉发光性能分析 | 第35-36页 |
| 4.1.2 Sm~(3+)摩尔掺杂对ZnS:Sm荧光粉的影响 | 第36-39页 |
| 4.1.2.1 ZnS:Sm荧光粉表面形貌分析 | 第36-38页 |
| 4.1.2.2 ZnS:Sm荧光粉晶相分析 | 第38页 |
| 4.1.2.3 ZnS:Sm荧光粉的发光性能分析 | 第38-39页 |
| 4.1.3 反应时间对ZnS:Sm荧光粉的影响 | 第39-41页 |
| 4.1.3.1 ZnS:Sm荧光粉晶相分析 | 第39-40页 |
| 4.1.3.2 ZnS:Sm荧光粉的发光性能分析 | 第40-41页 |
| 4.1.4 溶剂对ZnS荧光粉的影响 | 第41-43页 |
| 4.1.4.1 ZnS荧光粉表面形貌分析 | 第41页 |
| 4.1.4.2 ZnS荧光粉晶相分析 | 第41-42页 |
| 4.1.4.3 ZnS荧光粉的发光性能分析 | 第42-43页 |
| 4.2 真空蒸镀法制备ZnS及ZnS:Sm薄膜 | 第43-56页 |
| 4.2.1 衬底温度对ZnS薄膜的影响 | 第43-49页 |
| 4.2.1.1 薄膜的表面形貌分析 | 第43-44页 |
| 4.2.1.2 薄膜的物相分析 | 第44-45页 |
| 4.2.1.3 薄膜的光学性能分析 | 第45-47页 |
| 4.2.1.4 薄膜表面的成分分析 | 第47-48页 |
| 4.2.1.5 薄膜的荧光光谱分析 | 第48-49页 |
| 4.2.2 掺杂对ZnS薄膜的影响 | 第49-52页 |
| 4.2.2.1 薄膜的物相分析 | 第49-50页 |
| 4.2.2.2 薄膜的透过率分析 | 第50页 |
| 4.2.2.3 薄膜的禁带宽度分析 | 第50-51页 |
| 4.2.2.4 薄膜的荧光光谱分析 | 第51-52页 |
| 4.2.3 退火对ZnS薄膜的影响 | 第52-56页 |
| 4.2.3.1 薄膜的表面形貌分析 | 第52-53页 |
| 4.2.3.2 薄膜的物相分析 | 第53-54页 |
| 4.2.3.3 薄膜的光学性能分析 | 第54页 |
| 4.2.3.4 薄膜的禁带宽度分析 | 第54-56页 |
| 第五章 结论 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 附录A 作者攻读硕士期间发表的论文及成果 | 第62页 |
