| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第12-29页 |
| 1.1 研究工作的背景 | 第12-14页 |
| 1.2 氧化钒材料的国内外研究历史与现状 | 第14-27页 |
| 1.2.1 国外研究进展 | 第14-22页 |
| 1.2.2 国内研究进展 | 第22-27页 |
| 1.3 本文的主要工作 | 第27页 |
| 1.4 本论文的结构安排 | 第27-29页 |
| 第二章 氧化钒薄膜制备与表征技术 | 第29-46页 |
| 2.1 高分子辅助沉积法 | 第30-33页 |
| 2.2 热力学原理 | 第33-34页 |
| 2.3 脉冲激光沉积法 | 第34-36页 |
| 2.4 薄膜微结构表征技术 | 第36-42页 |
| 2.4.1 原子力显微镜 | 第36-37页 |
| 2.4.2 X射线衍射 | 第37-40页 |
| 2.4.3 透射电子显微镜 | 第40-41页 |
| 2.4.4 拉曼光谱 | 第41-42页 |
| 2.4.5 红外光谱 | 第42页 |
| 2.5 薄膜物理性质表征技术 | 第42-46页 |
| 2.5.1 范德堡法测试薄膜电阻率 | 第42-44页 |
| 2.5.2 薄膜磁性测量技术 | 第44-46页 |
| 第三章 高分子辅助沉积法制备氧化钒薄膜及其结构相变研究 | 第46-68页 |
| 3.1 高分子辅助沉积法制备氧化钒薄膜工艺研究 | 第46-53页 |
| 3.1.1 高分子前驱体溶液的配制 | 第46-47页 |
| 3.1.2 气氛调控氧化钒元素价态 | 第47-50页 |
| 3.1.3 温度调控制备纯相二氧化钒薄膜 | 第50-51页 |
| 3.1.4 二氧化钒薄膜在蓝宝石(0001)面的外延行为 | 第51-53页 |
| 3.2 高分子辅助沉积法制备氧化钒薄膜的金属-绝缘转变特性 | 第53-56页 |
| 3.2.1 电阻－温度曲线 | 第53-55页 |
| 3.2.2 红外开关 | 第55-56页 |
| 3.3 二氧化钒薄膜的结构相变过程 | 第56-67页 |
| 3.4 本章小结 | 第67-68页 |
| 第四章 脉冲激光沉积法制备二氧化钒薄膜及其性质研究 | 第68-100页 |
| 4.1 脉冲激光沉积法制备二氧化钒薄膜工艺研究 | 第69-77页 |
| 4.1.1 生长气氛优化过程 | 第70-71页 |
| 4.1.2 生长温度优化过程 | 第71-75页 |
| 4.1.3 生长厚度对薄膜性质的影响 | 第75-77页 |
| 4.2 脉冲激光沉积法制备二氧化钒薄膜微结构表征 | 第77-82页 |
| 4.2.1 透射电子显微镜 | 第77页 |
| 4.2.2 X射线衍射 | 第77-82页 |
| 4.3 脉冲激光沉积法在蓝宝石(11-20)面上制备二氧化钒薄膜 | 第82-99页 |
| 4.3.1 微结构表征 | 第83-87页 |
| 4.3.2 金属-绝缘转变的各向异性 | 第87-89页 |
| 4.3.3 结构演化表征 | 第89-93页 |
| 4.3.4 应变弛豫过程分析 | 第93-99页 |
| 4.4 本章小结 | 第99-100页 |
| 第五章 二氧化钒与磁性薄膜集成生长与器件性能初探 | 第100-111页 |
| 5.1 异质结构制备工艺优化 | 第100-103页 |
| 5.2 原型磁热器件耦合效应研究 | 第103-109页 |
| 5.2.1 磁场对金属-绝缘转变的作用 | 第103-106页 |
| 5.2.2 结构转变对磁性质的作用 | 第106页 |
| 5.2.3 器件耦合机制分析 | 第106-109页 |
| 5.3 本章小结 | 第109-111页 |
| 第六章 结论 | 第111-113页 |
| 致谢 | 第113-114页 |
| 参考文献 | 第114-126页 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 | 第126-127页 |
