| 中文摘要 | 第4-7页 |
| Abstract | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第14-34页 |
| 1.1 有机半导体晶体材料研究背景 | 第14-15页 |
| 1.2 有机晶体材料特性 | 第15-20页 |
| 1.2.1 低聚噻吩材料 | 第15-16页 |
| 1.2.2 稠环芳香烃材料 | 第16-18页 |
| 1.2.3 噻吩苯齐聚物 | 第18-20页 |
| 1.3 有机晶体材料的生长和制备 | 第20-24页 |
| 1.3.1 液相生长法 | 第21-22页 |
| 1.3.2 物理气相输运法 | 第22-24页 |
| 1.4 有机晶体电致发光器件 | 第24-30页 |
| 1.4.1 有机发光场效应晶体管 | 第25-28页 |
| 1.4.2 有机发光二级管 | 第28-30页 |
| 1.5 本论文的研究思路 | 第30-34页 |
| 1.5.1 论文选题 | 第30-31页 |
| 1.5.2 论文主要内容 | 第31-34页 |
| 第二章 利用模板剥离方法制备有机发光二极管器件 | 第34-42页 |
| 2.1 引言 | 第34-35页 |
| 2.2 晶体发光二极管器件的制备方法 | 第35-37页 |
| 2.2.1 衬底修饰层 | 第35-36页 |
| 2.2.2 模板剥离法 | 第36-37页 |
| 2.3 基于 BP2T 晶体材料的发光二极管器件 | 第37-41页 |
| 2.3.1 制备 BP2T 有机晶体材料 | 第37-38页 |
| 2.3.2 基于 BP2T 有机晶体发光二极管器件性质 | 第38-39页 |
| 2.3.3 与粘附法制备的发光二极管器件性能对比 | 第39-41页 |
| 2.4 本章小结 | 第41-42页 |
| 第三章 基于噻吩苯齐聚物晶体材料的有机发光二极管 | 第42-52页 |
| 3.1 引言 | 第42页 |
| 3.2 制备偏振发光的晶体发光二极管器件 | 第42-50页 |
| 3.2.1 制备 BP3T 有机晶体材料 | 第42-43页 |
| 3.2.2 基于 BP3T 有机晶体发光二极管器件性质 | 第43-44页 |
| 3.2.3 基于噻吩苯齐聚物有机晶体发光二极管偏振光性质分析 | 第44-48页 |
| 3.2.4 基于传输矩阵法分析偏振发光光谱 | 第48-50页 |
| 3.3 本章小结 | 第50-52页 |
| 第四章 基于 BSB-ME 晶体材料及掺杂技术的红绿蓝三基色有机发光二极管 | 第52-66页 |
| 4.1 引言 | 第52-53页 |
| 4.2 基于 BSB-ME 晶体材料的有机发光二极管 | 第53-57页 |
| 4.2.1 基于 BSB-Me 晶体发光二极管器件性质 | 第53-54页 |
| 4.2.2 晶体厚度对发光二极管器件电致发光光谱的影响 | 第54-57页 |
| 4.3 基于掺杂技术制备红绿蓝三基色晶体发光二极管 | 第57-65页 |
| 4.3.1 基于掺杂技术制备红绿蓝三基色晶体材料 | 第57-59页 |
| 4.3.2 掺杂晶体内的能量转移分析 | 第59-61页 |
| 4.3.3 掺杂晶体发光二极管器件性质 | 第61-65页 |
| 4.4 本章小结 | 第65-66页 |
| 第五章 基于掺杂晶体的有机白光发光二极管 | 第66-78页 |
| 5.1 引言 | 第66页 |
| 5.2 基于掺杂晶体材料的白光发光二极管 | 第66-74页 |
| 5.2.1 基于掺杂技术制备白光晶体材料 | 第66-69页 |
| 5.2.2 不同掺杂比例晶体内的能量转移 | 第69-71页 |
| 5.2.3 基于不同掺杂比例晶体材料制备发光二极管器件性质 | 第71-74页 |
| 5.3 掺杂晶体场效应迁移率的研究 | 第74-75页 |
| 5.3.1 晶体场效应晶体管的制备 | 第74页 |
| 5.3.2 晶体场效应晶体管迁移率的测量 | 第74-75页 |
| 5.4 掺杂晶体内的掺杂模式分析 | 第75-77页 |
| 5.5 本章小结 | 第77-78页 |
| 第六章 基于分布反馈结构 DFB 的有机晶体光泵激光器 | 第78-86页 |
| 6.1 引言 | 第78页 |
| 6.2 激光器 DFB 光栅结构的制备 | 第78-81页 |
| 6.3 有机晶体 DFB 激光器测试及分析 | 第81-84页 |
| 6.4 本章小结 | 第84-86页 |
| 第七章 结论 | 第86-88页 |
| 实验设备和材料 | 第88-90页 |
| 参考文献 | 第90-102页 |
| 科研成果 | 第102-104页 |
| 作者简介 | 第104-106页 |
| 致谢 | 第106页 |
