金属材料微观损伤的分子动力学研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| ·研究背景和意义 | 第9页 |
| ·国内外研究概况 | 第9-13页 |
| ·金属材料损伤断裂的实验研究 | 第10页 |
| ·金属材料损伤断裂的理论研究 | 第10-13页 |
| ·本文的主要内容 | 第13-14页 |
| 参考文献 | 第14-17页 |
| 第二章 位错引论 | 第17-35页 |
| ·晶体中的缺陷 | 第17-18页 |
| ·位错的基本性质 | 第18-27页 |
| ·位错的基本类型 | 第19-20页 |
| ·位错的运动 | 第20-22页 |
| ·位错的应力场 | 第22-24页 |
| ·位错间的交互作用 | 第24-26页 |
| ·位错的成核与增殖 | 第26-27页 |
| ·实际晶体中的位错组态 | 第27-33页 |
| ·堆垛次序和汤普森四面体 | 第28-30页 |
| ·不全位错 | 第30-31页 |
| ·扩展位错与位错锁 | 第31-33页 |
| 参考文献 | 第33-35页 |
| 第三章 分子动力学简介 | 第35-45页 |
| ·分子动力学发展应用简介 | 第35页 |
| ·分子动力学方法的基本原理 | 第35-36页 |
| ·分子动力学模拟基本技术 | 第36-41页 |
| ·势函数 | 第36-37页 |
| ·运动方程的积分算法 | 第37-38页 |
| ·边界条件 | 第38-40页 |
| ·体系的控制方法 | 第40-41页 |
| ·分子动力学模拟基本步骤 | 第41页 |
| ·不同系统的分子动力学模拟 | 第41-42页 |
| 参考文献 | 第42-45页 |
| 第四章 后处理程序介绍 | 第45-61页 |
| ·后处理技术发展简介 | 第45-46页 |
| ·空间物体的通用索引 | 第46-51页 |
| ·空间多级树 | 第46-48页 |
| ·基于SHT的快速搜索 | 第48-51页 |
| ·鉴定原子类型程序 | 第51-54页 |
| ·鉴定界面程序 | 第54-60页 |
| 参考文献 | 第60-61页 |
| 第五章 高应变率拉伸下微空洞的成核与早期生长 | 第61-69页 |
| ·引言 | 第61-62页 |
| ·模型 | 第62-63页 |
| ·模拟结果分析 | 第63-67页 |
| ·完整单晶铜中微空洞的成核与早期生长 | 第63-66页 |
| ·含双空洞单晶铜中微空洞的成核现象 | 第66-67页 |
| ·结论 | 第67页 |
| 参考文献 | 第67-69页 |
| 第六章 含纳米空洞单晶铜中位错成核的微观机理研究 | 第69-77页 |
| ·引言 | 第69-70页 |
| ·模型 | 第70页 |
| ·模拟结果分析 | 第70-75页 |
| ·含单纳米空洞的单晶铜中空洞生长与位错成核 | 第70-73页 |
| ·含双纳米空洞的单晶铜中空洞生长与位错成核 | 第73-75页 |
| ·结论 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-77页 |
| 第七章 面心立方铜晶体中空洞生长与贯通的尺寸效应 | 第77-85页 |
| ·引言 | 第77-78页 |
| ·模型 | 第78页 |
| ·模拟结果分析 | 第78-83页 |
| ·单轴拉仲作用下空洞的生长与贯通 | 第78-80页 |
| ·空洞尺寸效应 | 第80-83页 |
| ·结论 | 第83-84页 |
| 参考文献 | 第84-85页 |
| 第八章 总结与展望 | 第85-87页 |
| 个人简历 | 第87-89页 |
| 致谢 | 第89-90页 |
