| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-22页 |
| 1.1 课题背景及研究的目的和意义 | 第9-10页 |
| 1.2 国内外研究现状及分析 | 第10-20页 |
| 1.2.1 VO_2简介 | 第10页 |
| 1.2.2 VO_2的制备方法 | 第10-14页 |
| 1.2.3 VO_2的相变机理 | 第14页 |
| 1.2.4 VO_2相变驱动因素 | 第14-17页 |
| 1.2.5 VO_2的应用前景 | 第17-20页 |
| 1.3 主要研究内容 | 第20-22页 |
| 1.3.1 VO_2纳米线的制备 | 第20页 |
| 1.3.2 VO_2纳米线的结构演变与电学性能 | 第20-22页 |
| 第2章 实验方法 | 第22-31页 |
| 2.1 VO_2纳米线制备及加工方法 | 第22-27页 |
| 2.1.1 实验原材料 | 第22页 |
| 2.1.2 化学气相沉积法 | 第22-24页 |
| 2.1.3 脉冲激光沉积法 | 第24-25页 |
| 2.1.4 紫外光刻技术 | 第25-26页 |
| 2.1.5 电子束蒸镀 | 第26-27页 |
| 2.2 VO_2纳米线表征方法 | 第27-29页 |
| 2.2.1 X射线衍射 | 第27页 |
| 2.2.2 激光显微拉曼光谱 | 第27-28页 |
| 2.2.3 金相显微镜 | 第28页 |
| 2.2.4 扫描电子显微镜 | 第28-29页 |
| 2.2.5 透射电镜 | 第29页 |
| 2.3 VO_2纳米线电学性能测试方法 | 第29-31页 |
| 第3章 化学气相沉积法制备VO_2纳米线 | 第31-43页 |
| 3.1 引言 | 第31页 |
| 3.2 VO_2纳米线的形貌与结构分析 | 第31-38页 |
| 3.2.1 生长基底对VO_2纳米线结构的影响 | 第31-33页 |
| 3.2.2 生长基底对VO_2纳米线形貌的影响 | 第33-36页 |
| 3.2.3 TEM分析 | 第36-37页 |
| 3.2.4 M-R畴结构分析 | 第37-38页 |
| 3.3 VO_2纳米线微观生长机理 | 第38-42页 |
| 3.3.1 粗糙石英片生长VO_2纳米线的微观机理 | 第38-39页 |
| 3.3.2 SiO_2/Si生长VO_2纳米线的微观机理 | 第39-40页 |
| 3.3.3 VO_2纳米线在Al_2O_3择优取向生长的微观机理 | 第40-42页 |
| 3.4 本章小结 | 第42-43页 |
| 第4章 脉冲激光沉积法制备VO_2纳米线 | 第43-50页 |
| 4.1 引言 | 第43页 |
| 4.2 VO_2纳米线的形貌与结构分析 | 第43-47页 |
| 4.2.1 SiO_2/Si基底生长VO_2纳米线 | 第43-45页 |
| 4.2.2 Al_2O_3基底生长VO_2纳米线 | 第45-46页 |
| 4.2.3 SiO_2单晶基底生长VO_2纳米线 | 第46-47页 |
| 4.3 VO_2纳米线在SiO_2择优取向生长的微观机理 | 第47-49页 |
| 4.4 本章小结 | 第49-50页 |
| 第5章 VO_2纳米线的电学性能分析 | 第50-64页 |
| 5.1 引言 | 第50页 |
| 5.2 VO_2纳米线的变温畴结构演变与拉曼结构分析 | 第50-53页 |
| 5.2.1 变温畴结构演变 | 第50-51页 |
| 5.2.2 变温拉曼结构分析 | 第51-53页 |
| 5.3 VO_2纳米线的导电特性分析 | 第53-57页 |
| 5.3.1 自由状态的VO_2纳米线 | 第54-56页 |
| 5.3.2 基底失配应变作用下的VO_2纳米线 | 第56-57页 |
| 5.4 VO_2纳米线相变的电压驱动分析 | 第57-62页 |
| 5.5 本章小结 | 第62-64页 |
| 结论 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-73页 |
| 致谢 | 第73页 |
