| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-40页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 氧化镓的基本性质 | 第10-14页 |
| 1.2.1 晶体结构 | 第10-13页 |
| 1.2.2 基本物性 | 第13-14页 |
| 1.3 氧化镓光电探测器的应用前景 | 第14-31页 |
| 1.3.1 β-Ga_2O_3表面等离子光电探测器 | 第14-19页 |
| 1.3.2 β-Ga_2O_3基的异质结光电探测器 | 第19-23页 |
| 1.3.3 β-Ga_2O_3纳米结构的光电探测器 | 第23-31页 |
| 1.3.4 其他 | 第31页 |
| 1.4 研究内容与结构安排 | 第31-33页 |
| 参考文献 | 第33-40页 |
| 第二章 实验方法及测试手段 | 第40-48页 |
| 2.1 引言 | 第40页 |
| 2.2 薄膜的制备方法 | 第40-44页 |
| 2.2.1 激光分子束外延 | 第40-43页 |
| 2.2.2 磁控溅射 | 第43-44页 |
| 2.3 薄膜的表征手段 | 第44-45页 |
| 2.4 本章小结 | 第45页 |
| 参考文献 | 第45-48页 |
| 第三章 通过研究颗粒尺寸和薄膜厚度来优化氧化镓光电探测器的性能 | 第48-60页 |
| 3.1 引言 | 第48-49页 |
| 3.2 薄膜的生长实验流程 | 第49-51页 |
| 3.2.1 前期准备 | 第49-50页 |
| 3.2.2 磁控溅射法制备薄膜的实验过程 | 第50-51页 |
| 3.3 器件制备 | 第51-52页 |
| 3.4 器件性能 | 第52-57页 |
| 3.5 本章小结 | 第57页 |
| 参考文献 | 第57-60页 |
| 第四章 引入Au纳米颗粒/Ga_2O_3复合薄膜来优化氧化镓光电探测器的性能 | 第60-76页 |
| 4.1 引言 | 第60-61页 |
| 4.2 不同颗粒浓度的Au纳米颗粒/Ga_2O_3复合薄膜的光电探测器 | 第61-68页 |
| 4.2.1 器件制备 | 第61-62页 |
| 4.2.2 器件性能 | 第62-67页 |
| 4.2.3 光电机理 | 第67-68页 |
| 4.3 不同颗粒大小的Au纳米颗粒/Ga_2O_3复合薄膜的光电探测器 | 第68-72页 |
| 4.3.1 器件制备 | 第68-69页 |
| 4.3.2 器件性能 | 第69-72页 |
| 4.4 本章小结 | 第72页 |
| 参考文献 | 第72-76页 |
| 第五章 引入氧化镓基的异质结来优化氧化镓光电探测器的性能 | 第76-94页 |
| 5.1 引言 | 第76-77页 |
| 5.2 基于n-n型β-Ga_2O_3/n-SiC异质结的深紫外光电探测器 | 第77-83页 |
| 5.2.1 器件制备 | 第77页 |
| 5.2.2 器件性能 | 第77-82页 |
| 5.2.3 光电机理 | 第82-83页 |
| 5.3 基于p-Si/i-SiC/n-Ga_2O_3异质结光电探测器 | 第83-90页 |
| 5.3.1 器件制备 | 第83-84页 |
| 5.3.2 器件性能 | 第84-88页 |
| 5.3.3 光电机理 | 第88-90页 |
| 5.4 本章小结 | 第90页 |
| 参考文献 | 第90-94页 |
| 第六章 总结与展望 | 第94-96页 |
| 6.1 总结 | 第94-95页 |
| 6.2 展望 | 第95-96页 |
| 致谢 | 第96-98页 |
| 攻读博士学位期间取得的学术成果列表 | 第98-100页 |
