激光诱发Ti/α-Si多层膜自蔓延反应
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-20页 |
| 1.1 课题背景及研究目的 | 第9页 |
| 1.2 国内外的研究现状 | 第9-19页 |
| 1.2.1 多层膜材料体系 | 第9-10页 |
| 1.2.2 自蔓延反应速率 | 第10-13页 |
| 1.2.3 自蔓延反应放热量 | 第13-16页 |
| 1.2.4 多层薄膜自蔓延反应的机理 | 第16-18页 |
| 1.2.5 激光诱发多层薄膜自蔓延反应 | 第18-19页 |
| 1.3 本文主要研究内容 | 第19-20页 |
| 第2章 试验材料及方法 | 第20-23页 |
| 2.1 试验材料 | 第20页 |
| 2.2 试验方法及设备 | 第20-23页 |
| 2.2.1 磁控溅射设备 | 第20-21页 |
| 2.2.3 薄膜表面形貌及粗糙度分析 | 第21页 |
| 2.2.4 脉冲激光器诱发自蔓延反应 | 第21页 |
| 2.2.5 薄膜反应产物形貌及成分分析 | 第21-22页 |
| 2.2.6 热分析 | 第22-23页 |
| 第3章 Ti/α-Si 纳米多层膜的制备及表征 | 第23-35页 |
| 3.1 Ti/α-Si 薄膜体系热力学计算 | 第23-28页 |
| 3.2 Ti 和α-Si 沉积速率的测定 | 第28-31页 |
| 3.3 Ti/α-Si 纳米多层薄膜的制备 | 第31-32页 |
| 3.4 Ti/α-Si 多层纳米膜的表征 | 第32-34页 |
| 3.5 本章小结 | 第34-35页 |
| 第4章 Ti/α-Si 多层薄膜自蔓延反应的诱发 | 第35-49页 |
| 4.1 多层膜结构与激光诱发能量的关系 | 第35-37页 |
| 4.2 自蔓延反应速率与薄膜体系结构的关系 | 第37-43页 |
| 4.2.1 多层膜调制周期对反应速率的影响 | 第39-40页 |
| 4.2.2 薄膜层数对反应速率的影响 | 第40页 |
| 4.2.3 氧化层厚度对反应速率的影响 | 第40-42页 |
| 4.2.4 预扩散层厚度对反应速率的影响 | 第42-43页 |
| 4.3 反应产物 | 第43-48页 |
| 4.3.1 形貌分析 | 第43-47页 |
| 4.3.2 成分分析 | 第47-48页 |
| 4.4 本章小结 | 第48-49页 |
| 第5章 Ti/α-Si 多层薄膜反应热分析 | 第49-66页 |
| 5.1 牺牲层的制备 | 第49-50页 |
| 5.1.1 制备流程 | 第49-50页 |
| 5.1.2 PMMA 牺牲层的表面分析 | 第50页 |
| 5.2 Ti/α-Si 多层膜反应放热 | 第50-53页 |
| 5.3 DTA 处理后反应产物的分析 | 第53-58页 |
| 5.4 反应过程中热量动态变化的有限元分析 | 第58-65页 |
| 5.4.1 模型的简化和假设 | 第58-59页 |
| 5.4.2 结构参数及边界条件 | 第59-61页 |
| 5.4.3 计算结果及分析 | 第61-65页 |
| 5.5 本章小结 | 第65-66页 |
| 结论 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第71-73页 |
| 致谢 | 第73页 |
