| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第9-20页 |
| 1.1 前言 | 第9-10页 |
| 1.2 ZnO 的基本结构与性能简介 | 第10-11页 |
| 1.3 一维 ZnO 纳米材料应用 | 第11-16页 |
| 1.3.1 一维 ZnO 纳米发光材料 | 第12-13页 |
| 1.3.2 一维 ZnO 纳米材料光催化性能 | 第13-14页 |
| 1.3.3 一维 ZnO 纳米材料在染料敏化太阳能电池方面的应用 | 第14-15页 |
| 1.3.4 一维 ZnO 纳米材料化学传感器 | 第15-16页 |
| 1.4 低维 ZnO 纳米材料制备 | 第16-18页 |
| 1.4.1 化学气相沉积法制备一维 ZnO 纳米材料 | 第17页 |
| 1.4.2 水热法制备一维 ZnO 纳米材料 | 第17-18页 |
| 1.5 研究目的及主要研究内容 | 第18-20页 |
| 1.5.1 本文研究目的 | 第18-19页 |
| 1.5.2 主要研究内容 | 第19-20页 |
| 第2章 实验仪器及步骤 | 第20-24页 |
| 2.1 主要仪器及实验步骤 | 第20-22页 |
| 2.1.1 实验仪器 | 第20页 |
| 2.1.2 实验参数及步骤 | 第20-22页 |
| 2.3 一维 ZnO 纳米柱结构及晶体性能测试 | 第22页 |
| 2.4 一维 ZnO 纳米材料的光催化性能研究方法 | 第22-24页 |
| 第3章 种子层对纳米 ZnO 结构及光学性能影响 | 第24-35页 |
| 3.1 ZnO 种子层形貌影响因素分析 | 第24-26页 |
| 3.2 静置过程对 ZnO 纳米柱结构的影响 | 第26-28页 |
| 3.3 提拉次数对 ZnO 纳米柱材料结构的影响 | 第28-30页 |
| 3.4 退火情况对 ZnO 纳米柱结构的影响 | 第30-33页 |
| 3.5 种子层退火温度对 ZnO 纳米柱阵列光学性能的影响 | 第33-34页 |
| 3.6 本章小结 | 第34-35页 |
| 第4章 水热条件对纳米 ZnO 结构及光学性能的影响 | 第35-53页 |
| 4.1 锌源种类对 ZnO 纳米柱结构的影响 | 第35-37页 |
| 4.2 反应物浓度对 ZnO 纳米柱结构及光学性能的影响 | 第37-40页 |
| 4.3 反应物浓度比对 ZnO 纳米柱结构的影响 | 第40-44页 |
| 4.4 反应时间对 ZnO 纳米柱结构及光学性能的影响 | 第44-47页 |
| 4.5 升温方式对 ZnO 纳米柱结构的影响 | 第47-49页 |
| 4.6 ZnO 纳米柱水热生长机理研究 | 第49-51页 |
| 4.7 本章小结 | 第51-53页 |
| 第5章 ZnO 纳米材料的光催化性能研究 | 第53-61页 |
| 5.1 种子层对 ZnO 纳米柱阵列光催化性能的影响 | 第53-56页 |
| 5.1.1 种子层提拉次数的影响 | 第53-54页 |
| 5.1.2 种子层退火温度的影响 | 第54-56页 |
| 5.2 水热生长时间对 ZnO 纳米柱阵列光催化性能的影响 | 第56-58页 |
| 5.3 反应物浓度比对 ZnO 纳米柱阵列光催化性能的影响 | 第58-60页 |
| 5.4 本章小结 | 第60-61页 |
| 结论 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
