| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 引言 | 第9-25页 |
| 1.1 日盲紫外探测简介 | 第9页 |
| 1.2 MgZnO薄膜基本性质 | 第9-11页 |
| 1.3 MgZnO基日盲紫外探测研究进展 | 第11-22页 |
| 1.4 MgZnO基日盲紫外探测目前存在问题 | 第22-23页 |
| 1.5 论文的选题依据和研究内容 | 第23-25页 |
| 第2章 试验工艺与表征 | 第25-33页 |
| 2.1 脉冲激光沉积(PLD) | 第25-27页 |
| 2.1.1 PLD工作原理 | 第25-26页 |
| 2.1.2 PLD设备简介 | 第26-27页 |
| 2.2 MgZnO薄膜的表征方法 | 第27-28页 |
| 2.2.1 X射线衍射仪(XRD) | 第27页 |
| 2.2.2 紫外-可见透过光谱(UV－VIS) | 第27页 |
| 2.2.3 表面轮廓扫描仪(台阶仪) | 第27-28页 |
| 2.2.4 扫描电子显微镜(SEM) | 第28页 |
| 2.3 MgZnO基日盲紫外探测器的制备和表征 | 第28-33页 |
| 2.3.1 真空热蒸镀沉积系统 | 第28-29页 |
| 2.3.2 薄膜器件的光刻工艺 | 第29-31页 |
| 2.3.3 光谱响应测试系统 | 第31-33页 |
| 第3章 晶界类型对混合结构MgZnO薄膜紫外光响应特性的影响 | 第33-45页 |
| 3.1 不同晶界类型混合结构MgZnO薄膜制备 | 第33-34页 |
| 3.2 不同晶界类型混合结构MgZnO薄膜表征 | 第34-36页 |
| 3.3 不同晶界类型混合结构MgZnO紫外探测器的制备 | 第36-37页 |
| 3.4 晶界类型对混合结构MgZnO薄膜紫外光响应特性的影响 | 第37-44页 |
| 3.5 本章小结 | 第44-45页 |
| 第4章 激光功率对MgZnO薄膜生长结构及其紫外光响应特性的影响 | 第45-60页 |
| 4.1 不同激光功率下MgZnO薄膜的制备 | 第45-46页 |
| 4.2 激光功率对MgZnO薄膜特性的影响 | 第46-53页 |
| 4.2.1 激光功率对石英衬底上MgZnO薄膜特性的影响 | 第46-50页 |
| 4.2.2 激光功率对蓝宝石衬底上MgZnO薄膜特性的影响 | 第50-53页 |
| 4.3 激光功率对MgZnO薄膜紫外光响应特性的影响 | 第53-58页 |
| 4.3.1 MSM结构器件制备 | 第53页 |
| 4.3.2 石英衬底上混合结构MgZnO薄膜紫外光响应特性 | 第53-56页 |
| 4.3.3 蓝宝石衬底上混合结构MgZnO薄膜紫外光响应特性 | 第56-58页 |
| 4.4 本章小结 | 第58-60页 |
| 第5章 Au/MgZnO/ZnO:Ga/In垂直结构紫外探测器制备及其特性研究 | 第60-68页 |
| 5.1 Au/MgZnO/ZnO:Ga/In垂直结构紫外探测器制备工艺 | 第60-63页 |
| 5.2 Au/MgZnO/ZnO:Ga/In垂直结构紫外探测器制备和测试 | 第63-67页 |
| 5.3 本章小结 | 第67-68页 |
| 第6章 结论和展望 | 第68-70页 |
| 6.1 全文总结 | 第68页 |
| 6.2 展望 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
| 攻读硕士学位期间参与的科研项目与研究成果 | 第77页 |
