| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 引言 | 第9-17页 |
| 1.1 忆阻器的研究现状 | 第9-12页 |
| 1.2 忆阻器耦合及突触电路的研究现状 | 第12-13页 |
| 1.3 忆阻器的典型应用 | 第13-15页 |
| 1.4 论文研究意义 | 第15页 |
| 1.5 论文主要研究内容及结构 | 第15-17页 |
| 第2章 两类忆阻器的数学模型及仿真 | 第17-24页 |
| 2.1 离子迁移忆阻器模型 | 第17-21页 |
| 2.2 银硫化物忆阻器模型 | 第21-23页 |
| 2.3 小结 | 第23-24页 |
| 第3章 基于磁控忆阻器的耦合连接特性 | 第24-36页 |
| 3.1 磁控耦合忆阻器的建模 | 第24-25页 |
| 3.2 忆阻器串并联的耦合效应 | 第25-29页 |
| 3.3 数值仿真及结果分析 | 第29-33页 |
| 3.4 电路仿真器的实现 | 第33-35页 |
| 3.5 小结 | 第35-36页 |
| 第4章 基于反向串联忆阻器的突触电路 | 第36-46页 |
| 4.1 离子迁移忆阻器模型的阈值特性 | 第36-37页 |
| 4.2 一种反向串联忆阻突触电路的设计分析 | 第37-40页 |
| 4.3 突触电路用于交叉阵列及其在图像存储中的应用 | 第40-42页 |
| 4.4 实验仿真及分析 | 第42-45页 |
| 4.5 小结 | 第45-46页 |
| 第5章 银硫化物忆阻突触电路及在交叉阵列中的应用 | 第46-54页 |
| 5.1 忆阻突触的STDP和SRDP学习规则的实现 | 第46-49页 |
| 5.2 忆阻交叉阵列与读写电路的设计 | 第49-51页 |
| 5.3 基于忆阻突触可塑性的图像处理 | 第51-53页 |
| 5.4 小结 | 第53-54页 |
| 第6章 基于忆阻Hopfield神经网络的电路实现及应用 | 第54-64页 |
| 6.1 改进的忆阻桥突触电路 | 第54-56页 |
| 6.2 忆阻神经网络的电路实现 | 第56-58页 |
| 6.3 忆阻神经网络在联想记忆中的应用 | 第58-63页 |
| 6.4 小结 | 第63-64页 |
| 第7章 总结与展望 | 第64-66页 |
| 7.1 本文的主要工作 | 第64-65页 |
| 7.2 下一步工作思路 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 攻读硕士学位期间已发表的论文 | 第73页 |
| 攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第73页 |
