| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第9-11页 |
| 1.2 国内外本学科领域的研究现状 | 第11-16页 |
| 1.2.1 相变存储器（PCM） | 第11-12页 |
| 1.2.2 旋转扭矩传递磁随机存取存储器（STT-MRAM） | 第12-13页 |
| 1.2.3 阻变存储器 | 第13-16页 |
| 1.3 阻变存储器面临的主要问题及课题研究意义 | 第16页 |
| 1.4 论文组织结构 | 第16-18页 |
| 第二章 阻变存储器传统的操作方法 | 第18-30页 |
| 2.1 阻变存储器基本操作 | 第18-19页 |
| 2.2 阻变存储器基本操作 | 第19-29页 |
| 2.2.1 电压扫描模式（VSM） | 第19-22页 |
| 2.2.2 电流扫描模式（CSM） | 第22-25页 |
| 2.2.3 恒压应力模式（CVS） | 第25-26页 |
| 2.2.4 恒流应力模式（CCS） | 第26页 |
| 2.2.5 矩形脉冲模式（RPM） | 第26-28页 |
| 2.2.6 三角形脉冲模式（TPM） | 第28-29页 |
| 2.3 本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 阻变器件新型的操作方法 | 第30-49页 |
| 3.1 器件的制备 | 第30-31页 |
| 3.2 SET操作中加压时间的研究 | 第31-35页 |
| 3.2.1 实验结果与讨论 | 第31-34页 |
| 3.2.2 实验结论 | 第34-35页 |
| 3.3 编程/擦除操作对阻变存储器性能的影响 | 第35-39页 |
| 3.3.1 实验结果与讨论 | 第35-39页 |
| 3.3.2 实验结论 | 第39页 |
| 3.4 精确控制脉冲编程时间提高RRAM器件的耐久性 | 第39-45页 |
| 3.4.1 实验结果与讨论 | 第40-45页 |
| 3.4.2 实验结论 | 第45页 |
| 3.5 脉宽可调的操作方式下的转变时间的统计 | 第45-47页 |
| 3.6 本章小结 | 第47-49页 |
| 第四章 电学测试仪器功能模块的改善 | 第49-55页 |
| 4.1 电学测试电路的优化方案 | 第49-51页 |
| 4.1.1 存电学测试仪器的缺陷 | 第49-50页 |
| 4.1.2 脉冲测试电路的改进 | 第50-51页 |
| 4.2 冲测试控制平台的改善 | 第51-54页 |
| 4.2.1 存测试平台的缺陷 | 第51页 |
| 4.2.2 试平台程序的编写 | 第51-54页 |
| 4.3 本章小结 | 第54-55页 |
| 第五章 全文总结 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-62页 |
| 发表论文及参与科研 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |