摘要 | 第3-5页 |
ABSTRACT | 第5-6页 |
第1章 绪论 | 第13-37页 |
1.1 课题背景及研究的目的和意义 | 第13-14页 |
1.2 基于NAND Flash的固态存储的基本原理 | 第14-20页 |
1.2.1 NAND Flash存储胞元 | 第14-15页 |
1.2.2 NAND Flash的编程和擦除 | 第15-17页 |
1.2.3 NAND Flash的读操作 | 第17-18页 |
1.2.4 NAND Flash的芯片组织结构 | 第18-20页 |
1.3 NAND Flash错误成因及特征分析 | 第20-26页 |
1.3.1 编程干扰错误 | 第20-23页 |
1.3.2 数据驻留错误 | 第23-25页 |
1.3.3 读干扰错误 | 第25-26页 |
1.4 固态存储管理优化算法研究现状 | 第26-35页 |
1.4.1 NAND Flash纠错编码研究现状 | 第26-31页 |
1.4.2 不依赖于ECC的错误抑制策略研究现状 | 第31-34页 |
1.4.3 固态存储管理存在的问题总结 | 第34-35页 |
1.5 本文的主要研究内容 | 第35-37页 |
第2章 基于数据模式差异的联合编码策略 | 第37-60页 |
2.1 研究背景与相关工作 | 第37-39页 |
2.2 半字节重映射编码 | 第39-45页 |
2.2.1 NRC编码原理 | 第40-42页 |
2.2.2 NRC译码原理 | 第42-43页 |
2.2.3 NRC策略性能分析 | 第43-45页 |
2.3 基于NRC与缩短BCH的联合编码策略 | 第45-49页 |
2.3.1 联合编码框架 | 第45-46页 |
2.3.2 应用于NAND Flash的缩短BCH纠错码 | 第46-48页 |
2.3.3 缩短BCH码与NRC的融合 | 第48-49页 |
2.4 实验验证与分析 | 第49-59页 |
2.4.1 实验平台简介 | 第50-52页 |
2.4.2 测试数据产生 | 第52页 |
2.4.3 编程干扰降低效果评估 | 第52-55页 |
2.4.4 数据驻留错误降低效果评估 | 第55-58页 |
2.4.5 联合编码延迟负荷评估 | 第58-59页 |
2.5 本章小结 | 第59-60页 |
第3章 基于页耐受力差异的FTL优化策略 | 第60-87页 |
3.1 相关工作 | 第60-63页 |
3.2 问题的提出 | 第63-66页 |
3.3 关注页耐受力差异的FTL优化策略 | 第66-73页 |
3.3.1 PEVA策略的FTL实现 | 第66-71页 |
3.3.2 门限可配置的PEVA策略 | 第71-73页 |
3.4 实验验证与分析 | 第73-86页 |
3.4.1 实验设置 | 第73-74页 |
3.4.2 驻留错误数据预测 | 第74-79页 |
3.4.3 PEVA策略寿命延长效果评估 | 第79-83页 |
3.4.4 PEVA策略I/O性能评估 | 第83-86页 |
3.5 本章小结 | 第86-87页 |
第4章 基于错误率预测模型的页磨损均衡策略 | 第87-113页 |
4.1 相关工作 | 第87-88页 |
4.2 问题的提出 | 第88-91页 |
4.3 NAND Flash平均错误率预测模型 | 第91-97页 |
4.3.1 错误率模型建立的可能性 | 第91-93页 |
4.3.2 多项式错误率预测模型 | 第93-95页 |
4.3.3 预测模型的相对误差分析 | 第95-97页 |
4.4 页粒度磨损均衡策略 | 第97-104页 |
4.4.1 PGWL策略的管理框架 | 第97-98页 |
4.4.2 PGWL策略的FTL算法实现 | 第98-104页 |
4.5 实验验证与分析 | 第104-112页 |
4.5.1 编程释放操作对降低RBER的影响 | 第104-106页 |
4.5.2 PGWL策略寿命延长效果评估 | 第106-110页 |
4.5.3 PGWL策略I/O性能评估 | 第110-112页 |
4.6 本章小结 | 第112-113页 |
结论 | 第113-115页 |
参考文献 | 第115-128页 |
附录A 英文缩写及释义 | 第128-130页 |
攻读博士学位期间发表的论文及其他成果 | 第130-133页 |
致谢 | 第133-134页 |
个人简历 | 第134页 |