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基于错误特征的NAND Flash存储策略研究

摘要第3-5页
ABSTRACT第5-6页
第1章 绪论第13-37页
    1.1 课题背景及研究的目的和意义第13-14页
    1.2 基于NAND Flash的固态存储的基本原理第14-20页
        1.2.1 NAND Flash存储胞元第14-15页
        1.2.2 NAND Flash的编程和擦除第15-17页
        1.2.3 NAND Flash的读操作第17-18页
        1.2.4 NAND Flash的芯片组织结构第18-20页
    1.3 NAND Flash错误成因及特征分析第20-26页
        1.3.1 编程干扰错误第20-23页
        1.3.2 数据驻留错误第23-25页
        1.3.3 读干扰错误第25-26页
    1.4 固态存储管理优化算法研究现状第26-35页
        1.4.1 NAND Flash纠错编码研究现状第26-31页
        1.4.2 不依赖于ECC的错误抑制策略研究现状第31-34页
        1.4.3 固态存储管理存在的问题总结第34-35页
    1.5 本文的主要研究内容第35-37页
第2章 基于数据模式差异的联合编码策略第37-60页
    2.1 研究背景与相关工作第37-39页
    2.2 半字节重映射编码第39-45页
        2.2.1 NRC编码原理第40-42页
        2.2.2 NRC译码原理第42-43页
        2.2.3 NRC策略性能分析第43-45页
    2.3 基于NRC与缩短BCH的联合编码策略第45-49页
        2.3.1 联合编码框架第45-46页
        2.3.2 应用于NAND Flash的缩短BCH纠错码第46-48页
        2.3.3 缩短BCH码与NRC的融合第48-49页
    2.4 实验验证与分析第49-59页
        2.4.1 实验平台简介第50-52页
        2.4.2 测试数据产生第52页
        2.4.3 编程干扰降低效果评估第52-55页
        2.4.4 数据驻留错误降低效果评估第55-58页
        2.4.5 联合编码延迟负荷评估第58-59页
    2.5 本章小结第59-60页
第3章 基于页耐受力差异的FTL优化策略第60-87页
    3.1 相关工作第60-63页
    3.2 问题的提出第63-66页
    3.3 关注页耐受力差异的FTL优化策略第66-73页
        3.3.1 PEVA策略的FTL实现第66-71页
        3.3.2 门限可配置的PEVA策略第71-73页
    3.4 实验验证与分析第73-86页
        3.4.1 实验设置第73-74页
        3.4.2 驻留错误数据预测第74-79页
        3.4.3 PEVA策略寿命延长效果评估第79-83页
        3.4.4 PEVA策略I/O性能评估第83-86页
    3.5 本章小结第86-87页
第4章 基于错误率预测模型的页磨损均衡策略第87-113页
    4.1 相关工作第87-88页
    4.2 问题的提出第88-91页
    4.3 NAND Flash平均错误率预测模型第91-97页
        4.3.1 错误率模型建立的可能性第91-93页
        4.3.2 多项式错误率预测模型第93-95页
        4.3.3 预测模型的相对误差分析第95-97页
    4.4 页粒度磨损均衡策略第97-104页
        4.4.1 PGWL策略的管理框架第97-98页
        4.4.2 PGWL策略的FTL算法实现第98-104页
    4.5 实验验证与分析第104-112页
        4.5.1 编程释放操作对降低RBER的影响第104-106页
        4.5.2 PGWL策略寿命延长效果评估第106-110页
        4.5.3 PGWL策略I/O性能评估第110-112页
    4.6 本章小结第112-113页
结论第113-115页
参考文献第115-128页
附录A 英文缩写及释义第128-130页
攻读博士学位期间发表的论文及其他成果第130-133页
致谢第133-134页
个人简历第134页

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