位错在纳米线生长中的作用
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 课题背景 | 第9-10页 |
| 1.2 纳米线的主要合成方法和生长机制 | 第10-15页 |
| 1.3 螺位错生长机制及研究现状 | 第15-20页 |
| 1.4 本课题研究主要意义及内容 | 第20-21页 |
| 第2章 实验仪器及方法 | 第21-25页 |
| 2.1 实验仪器 | 第21-22页 |
| 2.2 实验方法 | 第22-24页 |
| 2.2.1 位错分析方法 | 第22-23页 |
| 2.2.2 位错分析辅助方法 | 第23-24页 |
| 2.3 本章小结 | 第24-25页 |
| 第3章 氧化铜CuO纳米线的生长机制研究 | 第25-32页 |
| 3.1 引言 | 第25页 |
| 3.2 CuO纳米线的实验方法 | 第25-26页 |
| 3.3 XRD物相表征 | 第26-27页 |
| 3.4 SEM形貌表征 | 第27-30页 |
| 3.5 氧化铜CuO纳米线的生长机制 | 第30-31页 |
| 3.6 本章小结 | 第31-32页 |
| 第4章 氧化铜CuO纳米线中的位错及生长机制研究 | 第32-42页 |
| 4.1 引言 | 第32页 |
| 4.2 CuO纳米线的孪晶结构分析 | 第32-37页 |
| 4.3 CuO纳米线的位错结构分析 | 第37-38页 |
| 4.4 氧化铜纳米线晶体结构分析及生长机制研究 | 第38-40页 |
| 4.5 本章小结 | 第40-42页 |
| 第5章 硫化锌ZnS纳米线中位错在生长中作用 | 第42-52页 |
| 5.1 引言 | 第42页 |
| 5.2 ZnS纳米线的实验方法 | 第42页 |
| 5.3 ZnS纳米线的TEM表征及HRTEM表征 | 第42-48页 |
| 5.4 ZnS纳米线中位错在生长中作用 | 第48-50页 |
| 5.5 本章小结 | 第50-52页 |
| 结论 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-62页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63页 |
