| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 新型非挥发性存储器的简介 | 第10-13页 |
| 1.2.1 相变存储器(PCM) | 第11-12页 |
| 1.2.2 铁电存储器(FeRAM) | 第12-13页 |
| 1.2.3 磁阻存储器(MRAM) | 第13页 |
| 1.3 阻变存储器的发展与研究现状 | 第13-15页 |
| 1.4 本文的主要内容和研究意义 | 第15-17页 |
| 第二章 RRAM的工作原理与阻变机制 | 第17-27页 |
| 2.1 RRAM的工作原理 | 第17-18页 |
| 2.1.1 单极型阻变 | 第17页 |
| 2.1.2 双极型阻变 | 第17-18页 |
| 2.2 阻变存储器的阻变机制 | 第18-20页 |
| 2.2.1 界面处肖特基势垒模型 | 第18-19页 |
| 2.2.2 缺陷能级的电荷俘获和释放模型 | 第19-20页 |
| 2.2.3 导电细丝模型 | 第20页 |
| 2.3 导电细丝的构成 | 第20-26页 |
| 2.3.1 本征缺陷氧空位导电细丝RRAM | 第20-22页 |
| 2.3.2 金属缺陷导电细丝RRAM | 第22-26页 |
| 2.4 本文的研究方法和工具 | 第26页 |
| 2.5 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 本征缺陷氧空位对RRAM性能的影响 | 第27-40页 |
| 3.1 结构模型与计算方法 | 第28页 |
| 3.2 局部氧空位的团簇与方向 | 第28-31页 |
| 3.3 氧空位导电细丝的形状与方向 | 第31-35页 |
| 3.4 导电细丝的构成 | 第35-36页 |
| 3.5 氧空位的迁移路径 | 第36-39页 |
| 3.6 本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 金属与氧空位共同对RRAM性能的影响 | 第40-52页 |
| 4.1 HfO_2中掺杂金属Ni对RRAM性能的影响 | 第40-46页 |
| 4.1.1 Ni以不同方式掺杂HfO_2材料形成能的分析 | 第40-42页 |
| 4.1.2 Ni掺杂HfO_2材料态密度及性质分析 | 第42页 |
| 4.1.3 Ni形成导电细丝的浓度分析 | 第42-46页 |
| 4.2 Ni和氧空位共在的HfO_2体系 | 第46-51页 |
| 4.2.1 氧空位对金属Ni导电细丝的影响 | 第46-47页 |
| 4.2.2 金属Ni对氧空位导电细丝的影响 | 第47-49页 |
| 4.2.3 金属Ni导电细丝与氧空位导电细丝同时存在的情况 | 第49-51页 |
| 4.3 本章小结 | 第51-52页 |
| 第五章 工作总结与展望 | 第52-54页 |
| 5.1 工作总结 | 第52-53页 |
| 5.2 工作展望 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-59页 |
| 图表目录 | 第59-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 攻读学位期间发表的论文 | 第62页 |
