| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 前言 | 第9-11页 |
| 1.1.1 红外辐射 | 第9-10页 |
| 1.1.2 红外探测技术的发展与应用 | 第10-11页 |
| 1.2 探测器常用材料 | 第11-12页 |
| 1.2.1 Si材料 | 第11-12页 |
| 1.2.2 HgCdTe材料 | 第12页 |
| 1.2.3 InGaAs材料 | 第12页 |
| 1.3 雪崩光电二极管（APD）的发展和研究现状 | 第12-16页 |
| 1.3.1 APD的发展 | 第12-13页 |
| 1.3.2 APD结构的演变 | 第13-16页 |
| 1.4 本论文的主要工作 | 第16-17页 |
| 第2章 InGaAs/In P雪崩光电二极管工作原理及性能参数 | 第17-27页 |
| 2.1 光伏器件的基本原理 | 第17-18页 |
| 2.2 雪崩光电二极管的结构设计 | 第18-23页 |
| 2.2.1 雪崩效应 | 第18页 |
| 2.2.2 雪崩光电二极管的工作原理及设计 | 第18-23页 |
| 2.3 红外探测器的性能参数及APD的性能表征 | 第23-25页 |
| 2.3.1 探测器的主要工作条件 | 第23-24页 |
| 2.3.2 红外探测器的主要参数 | 第24-25页 |
| 2.4 本章小结 | 第25-27页 |
| 第3章 InGaAs/In P雪崩光电二极管版图设计 | 第27-35页 |
| 3.1 电极形状优化 | 第28-30页 |
| 3.2 对版标记和台面面积的设计 | 第30-33页 |
| 3.2.1 对版标记 | 第30-32页 |
| 3.2.2 台面尺寸 | 第32-33页 |
| 3.3 本章小结 | 第33-35页 |
| 第4章 InGaAs/In P雪崩光电二极管的工艺制备 | 第35-53页 |
| 4.1 工艺流程 | 第35-36页 |
| 4.2 光刻 | 第36-40页 |
| 4.2.1 光刻的基本原理 | 第37-38页 |
| 4.2.2 光刻胶 | 第38页 |
| 4.2.3 APD器件光刻的关键工艺 | 第38-40页 |
| 4.3 刻蚀 | 第40-48页 |
| 4.3.1 刻蚀的种类 | 第40-41页 |
| 4.3.2 湿法刻蚀与干法刻蚀的比较 | 第41-44页 |
| 4.3.3 针对ICP刻蚀的优化 | 第44-47页 |
| 4.3.4 优化工艺后的APD器件刻蚀 | 第47-48页 |
| 4.4 钝化 | 第48-50页 |
| 4.4.1 钝化材料 | 第48-49页 |
| 4.4.2 对APD器件的钝化 | 第49-50页 |
| 4.5 电极 | 第50-52页 |
| 4.5.1 电极生长 | 第50-51页 |
| 4.5.2 剥离 | 第51-52页 |
| 4.5.3 退火 | 第52页 |
| 4.6 本章小结 | 第52-53页 |
| 第5章 测试 | 第53-57页 |
| 5.1 暗电流及光电流测试 | 第53-54页 |
| 5.2 黑体探测率 | 第54-56页 |
| 5.3 本章小结 | 第56-57页 |
| 结论 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
