摘要 | 第4-5页 |
ABSTRACT | 第5-6页 |
第一章 前言 | 第10-32页 |
1.1 课题研究背景及意义 | 第10-13页 |
1.2 质子重离子治疗装置束配系统概况 | 第13-22页 |
1.2.1 治疗模式概况 | 第13-21页 |
1.2.2 国际质子重离子治疗装置束配系统概况 | 第21-22页 |
1.3 国际质子重离子治疗装置束配系统电离室概况 | 第22-25页 |
1.4 国际质子重离子治疗装置束配系统电离室电子学概况 | 第25-29页 |
1.4.1 剂量电离室电子学概况 | 第25-27页 |
1.4.2 位置电离室电子学概况 | 第27-29页 |
1.5 上海质子治疗装置束配系统电离室电子学技术路线 | 第29-31页 |
1.6 本论文研究内容及方法 | 第31-32页 |
第二章 电离室原理及电子学参数 | 第32-47页 |
2.1 气体平行板电离室原理 | 第32-34页 |
2.2 剂量电离室原理 | 第34-37页 |
2.3 位置电离室原理 | 第37-39页 |
2.4 剂量电离室电子学指标 | 第39-43页 |
2.5 位置电离室电子学指标 | 第43-45页 |
2.6 小结 | 第45-47页 |
第三章 剂量电离室电子学 | 第47-78页 |
3.1 前端电子学 | 第47-68页 |
3.1.1 电子学基本原理 | 第47-48页 |
3.1.2 I/V转换电路设计及噪声分析 | 第48-63页 |
3.1.3 ADC | 第63-65页 |
3.1.4 电路原理图设计 | 第65-68页 |
3.2 PCB设计 | 第68-74页 |
3.2.1 元器件布局设计 | 第69-70页 |
3.2.2 PCB叠层设计 | 第70-71页 |
3.2.3 PCB布线设计 | 第71-72页 |
3.2.4 漏电流及屏蔽 | 第72-74页 |
3.3 数据采集 | 第74-77页 |
3.4 小结 | 第77-78页 |
第四章 位置电离室电子学 | 第78-94页 |
4.1 前端电子学 | 第78-88页 |
4.1.1 电子学基本原理 | 第78-79页 |
4.1.2 电路分析 | 第79-81页 |
4.1.3 DDC264工作原理 | 第81-85页 |
4.1.4 电路原理图设计 | 第85-88页 |
4.2 PCB设计 | 第88-89页 |
4.3 数据采集 | 第89-92页 |
4.4 小结 | 第92-94页 |
第五章 电离室电子学测试结果 | 第94-105页 |
5.1 数据采集平台 | 第94-96页 |
5.2 剂量电离室电子学测试 | 第96-101页 |
5.2.1 线性度测试 | 第97-98页 |
5.2.2 加高压源后本底噪音测试 | 第98-101页 |
5.3 位置电离室电子学测试 | 第101-105页 |
第六章 总结与展望 | 第105-107页 |
参考文献 | 第107-110页 |
作者学术成果 | 第110-111页 |
致谢 | 第111页 |