摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
第1章 绪论 | 第10-23页 |
1.1 电子计量谱学概述 | 第10-11页 |
1.2 原子配位体系 | 第11-13页 |
1.2.1 原子配位体系分类 | 第11-12页 |
1.2.2 原子低配位体系 | 第12页 |
1.2.3 原子混配位体系 | 第12-13页 |
1.3 配位-化学键弛豫 | 第13页 |
1.4 光电子能谱现有的理论和研究现状 | 第13-21页 |
1.4.1 表面和块体的结合能 | 第13-16页 |
1.4.2 能级偏移的尺寸效应 | 第16-18页 |
1.4.3 能级偏移的温度效应 | 第18-19页 |
1.4.4 原子吸附与合金界面 | 第19-21页 |
1.5 本论文选题依据和主要内容 | 第21-23页 |
第2章 基本原理和方法 | 第23-41页 |
2.1 紧束缚近似 | 第23-25页 |
2.2 键弛豫原理和非键电子极化 | 第25-28页 |
2.2.1 晶体势能的变化 | 第25-27页 |
2.2.2 键弛豫理论 | 第27-28页 |
2.2.3 非键电子极化 | 第28页 |
2.3 BOLS理论的拓展 | 第28-35页 |
2.3.1 表面缺陷和原子吸附 | 第28-30页 |
2.3.2 尺寸效应 | 第30-31页 |
2.3.3 温度效应 | 第31-33页 |
2.3.4 混配位效应 | 第33-34页 |
2.3.5 哈密顿量的微扰 | 第34-35页 |
2.4 价带和非键态 | 第35-36页 |
2.4.1 价电子的多样性与四面体成键调制价带电子 | 第35-36页 |
2.4.2 非键态 | 第36页 |
2.5 解谱规则及参数定量化 | 第36-38页 |
2.5.1 解谱规则 | 第36-37页 |
2.5.2 键能密度ED和原子结合能EC | 第37-38页 |
2.6 第一性原理计算 | 第38-40页 |
2.6.1 密度泛函理论介绍 | 第38-39页 |
2.6.2 泛函简介 | 第39页 |
2.6.3 计算软件简介 | 第39-40页 |
2.7 本章小结 | 第40-41页 |
第3章 原子配位分辨表面和团簇结构 | 第41-60页 |
3.1 原子配位对表面芯能级偏移的影响 | 第41-42页 |
3.2 BOLS-TB解谱 | 第42-43页 |
3.3 原子配位分辨表面晶体结构 | 第43-48页 |
3.3.1 原子配位分辨面心立方(fcc)结构:Ir(100),(111)和(210)面 | 第43-45页 |
3.3.2 原子配位分辨体心立方(bcc)结构:Li(110)和Na(110)面 | 第45-46页 |
3.3.3 配位分辨金刚石(diamond)结构:Si、Ge的(100)与(111)面 | 第46-48页 |
3.4 原子配位分辨团簇结构 | 第48-54页 |
3.4.1 Na和Pb团簇解谱 | 第48-51页 |
3.4.2 第一原理计算Na团簇的能级偏移 | 第51-54页 |
3.5 原子配位缺陷引起Si表面的能级移动 | 第54-56页 |
3.6 相关化学键的信息 | 第56-58页 |
3.7 本章小结 | 第58-60页 |
第4章 低配位原子的尺寸和温度效应 | 第60-69页 |
4.1 尺寸效应引起键-电子弛豫 | 第60-61页 |
4.2 尺寸减少引起Pb和Mo团簇价带电子极化 | 第61-63页 |
4.3 定量Pb团簇能级移动的尺寸效应 | 第63-66页 |
4.4 定量Na团簇键应变和配位数 | 第66-67页 |
4.5 定量Ir(111)面能级移动的温度效应 | 第67-68页 |
4.6 本章小结 | 第68-69页 |
第5章 表面原子吸附的界面效应 | 第69-77页 |
5.1 区域选择光电子能谱 | 第69页 |
5.2 界面结合能的计算 | 第69-71页 |
5.3 Ge表面氢化和氧化 | 第71-73页 |
5.4 Au表面的吸附和氧化 | 第73-76页 |
5.5 本章小结 | 第76-77页 |
第6章 原子掺杂和合金的混配位效应 | 第77-89页 |
6.1 原子掺杂Sc13团簇的混配位效应 | 第77-80页 |
6.2 LiNa合金的混配位效应 | 第80-84页 |
6.3 稀有气体He掺杂Na团簇 | 第84-88页 |
6.4 本章小结 | 第88-89页 |
第7章 总结与展望 | 第89-91页 |
7.1 全文总结 | 第89-90页 |
7.2 工作展望 | 第90-91页 |
参考文献 | 第91-103页 |
致谢 | 第103-104页 |
攻读博士学位发表的学术论文 | 第104-105页 |