| 中文摘要 | 第3-4页 |
| 英文摘要 | 第4-5页 |
| 引言 | 第8-9页 |
| 第一章 中子发生器发展概述 | 第9-17页 |
| 1.1 中子管相关背景 | 第9-10页 |
| 1.2 中子管发生器的研究现状和发展趋势 | 第10-12页 |
| 1.3 潘宁负氢离子源的研究现状和产生机制 | 第12-14页 |
| 1.4 中子发生器的重要用途 | 第14-15页 |
| 1.5 本论文研究的意义 | 第15-16页 |
| 1.6 研究内容及论文结构 | 第16-17页 |
| 第二章 中子发生器工作原理及结构 | 第17-20页 |
| 2.1 中子的产生方式 | 第17页 |
| 2.2 中子管的基本原理 | 第17页 |
| 2.3 中子管的结构 | 第17-19页 |
| 2.4 本章小结 | 第19-20页 |
| 第三章 中子管仿真的理论依据和软件介绍 | 第20-29页 |
| 3.1 束流的概念 | 第20页 |
| 3.2 静电透镜中的轨迹方程和三电极中子管的结构 | 第20-25页 |
| 3.2.1 静电透镜的轨迹方程 | 第20-21页 |
| 3.2.2 三电极中子管结构及离子聚焦系统的理论依据 | 第21-23页 |
| 3.2.3 负氢离子源中子管结构及离子聚焦系统的理论依据 | 第23-25页 |
| 3.3 对仿真软件CST STUDIO SUITE的简介 | 第25-28页 |
| 3.3.1 CST粒子工作室 | 第25-26页 |
| 3.3.2 CST STUDIO SUITE的仿真软件的内部算法 | 第26页 |
| 3.3.3 CST STUDIO SUITE的特点及优势 | 第26-28页 |
| 3.4 本章小结 | 第28-29页 |
| 第四章 中子管束流引出及分布 | 第29-37页 |
| 4.1 中子管离子聚焦加速系统的特点对中子管性能的影响 | 第29-30页 |
| 4.2 三电极中子管离子聚焦系统的仿真 | 第30-32页 |
| 4.2.1 A极板与B极板间距离的改变所产生的影响 | 第30-31页 |
| 4.2.2 B极板电压变化所产生的影响 | 第31-32页 |
| 4.2.3 C极板电压变化所产生的影响 | 第32页 |
| 4.3 负氢离子源中子管电子和负氢离子分离的仿真研究 | 第32-36页 |
| 4.3.1 A极板与B极板间距离的改变所产生的影响 | 第33-34页 |
| 4.3.2 B极板电压变化所产生的影响 | 第34-35页 |
| 4.3.3 磁场强度变化所产生的影响 | 第35-36页 |
| 4.4 本章小结 | 第36-37页 |
| 第五章 结论与建议 | 第37-40页 |
| 5.1 本论文的主要结论 | 第37-38页 |
| 5.1.1 三电极中子管的仿真结论 | 第37页 |
| 5.1.2 负氢离子源三电极中子管的仿真研究 | 第37-38页 |
| 5.2 创新点 | 第38页 |
| 5.3 进一步工作建议 | 第38-40页 |
| 参考文献 | 第40-43页 |
| 致谢 | 第43-44页 |
| 在学期间公开发表论文及著作 | 第44页 |
