| 致谢 | 第4-5页 |
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-28页 |
| 1.1 引言 | 第11-14页 |
| 1.2 半导体可调谐激光器 | 第14-22页 |
| 1.3 半导体激光器高速调制技术 | 第22-25页 |
| 1.4 本论文章节安排 | 第25-26页 |
| 1.5 本论文主要创新点 | 第26-28页 |
| 第二章 V型腔可调谐激光器的原理与设计 | 第28-60页 |
| 2.1 V型腔可调谐激光器基本结构 | 第28-29页 |
| 2.2 游标效应的作用 | 第29-30页 |
| 2.3 半波耦合器的作用与设计 | 第30-34页 |
| 2.4 V型腔可调谐激光器的阈值条件 | 第34-35页 |
| 2.5 V型腔可调谐激光器调谐机理 | 第35-39页 |
| 2.6 V型腔可调谐激光器结构设计 | 第39-55页 |
| 2.6.1 量子阱层状结构 | 第39-43页 |
| 2.6.2 V型腔可调谐激光器波导结构设计 | 第43-48页 |
| 2.6.3 半波耦合器参数设计 | 第48-55页 |
| 2.7 集成片上发热薄膜电阻的V型腔可调谐激光器 | 第55-58页 |
| 2.8 本章小结 | 第58-60页 |
| 第三章 V型腔可调谐激光器制作、测试与封装 | 第60-88页 |
| 3.1 V型腔可调谐激光器工艺流程 | 第60-69页 |
| 3.1.1 传统V型腔可调谐激光器工艺 | 第60-66页 |
| 3.1.2 国外厂家代工工艺步骤 | 第66-69页 |
| 3.2 V型腔可调谐激光器芯片测试 | 第69-82页 |
| 3.2.1 芯片解理与测试条件 | 第70-72页 |
| 3.2.2 V型腔可调谐激光器静态性能测试 | 第72-78页 |
| 3.2.3 热调谐V型腔可调谐激光器的测试 | 第78-82页 |
| 3.3 V型腔可调谐激光器的封装 | 第82-86页 |
| 3.4 本章小结 | 第86-88页 |
| 第四章 V型腔可调谐激光器高速直接调制性能与定标测试 | 第88-137页 |
| 4.1 影响高速调制性能的因素 | 第88-90页 |
| 4.2 V型腔可调谐激光器频率响应与直接调制 | 第90-102页 |
| 4.3 误码率测试 | 第102-106页 |
| 4.4 啁啾测试 | 第106-108页 |
| 4.5 V型腔可调谐激光器TOSA定标测试 | 第108-125页 |
| 4.5.1 动态下的单模性能与调谐能力 | 第109-111页 |
| 4.5.2 VCL-TOSA初测 | 第111-114页 |
| 4.5.3 VCL-TOSA定标测试 | 第114-120页 |
| 4.5.4 VCL-TOSA半自动定标测试程序 | 第120-123页 |
| 4.5.5 VCL-TOSA可靠性测试 | 第123页 |
| 4.5.6 VCL-TOSA 50GHz信道间隔的实现与测试 | 第123-125页 |
| 4.6 V型腔可调谐激光器高速直调性能的提升 | 第125-136页 |
| 4.7 本章小结 | 第136-137页 |
| 第五章 V型腔可调谐激光器啁啾管理测试与集成电吸收调制器设计 | 第137-154页 |
| 5.1 V型腔可调谐激光器CML测试 | 第137-143页 |
| 5.1.1 啁啾管理技术概述 | 第137-139页 |
| 5.1.2 CML测试系统 | 第139-140页 |
| 5.1.3 CML测试结果与分析 | 第140-143页 |
| 5.2 V型腔可调谐激光器集成EAM设计 | 第143-153页 |
| 5.2.1 VCL与EAM集成平台方案选择 | 第143-145页 |
| 5.2.2 量子阱混杂测试 | 第145-147页 |
| 5.2.3 VCL与EAM集成设计 | 第147-153页 |
| 5.3 本章小结 | 第153-154页 |
| 第六章 总结与展望 | 第154-156页 |
| 6.1 本论文总结 | 第154-155页 |
| 6.2 未来发展方向 | 第155-156页 |
| 参考文献 | 第156-167页 |
| 作者简介 | 第167-168页 |
| 个人简介 | 第167页 |
| 博士在读期间发表论文情况: | 第167-168页 |
