单层二硫化钼的制备及光学性质研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-37页 |
| ·引言 | 第11-12页 |
| ·二硫化钼的结构与性质 | 第12-16页 |
| ·二硫化钼的晶体结构 | 第12-13页 |
| ·二硫化钼的电子结构 | 第13-15页 |
| ·二硫化钼的光学性质 | 第15-16页 |
| ·二硫化钼的应用 | 第16-19页 |
| ·润滑剂 | 第16页 |
| ·场效应晶体管 | 第16-17页 |
| ·传感器 | 第17-18页 |
| ·电池的电极材料 | 第18页 |
| ·谷电子学中应用 | 第18-19页 |
| ·类石墨烯二硫化钼的制备方法 | 第19-30页 |
| ·“自上而下”的制备方法 | 第19-25页 |
| ·“自下而上”的制备方法 | 第25-30页 |
| ·本论文主要研究内容 | 第30-31页 |
| 参考文献 | 第31-37页 |
| 第二章 实验材料设备及表征技术 | 第37-45页 |
| ·实验材料设备 | 第37-38页 |
| ·实验设备 | 第37页 |
| ·实验材料 | 第37-38页 |
| ·表征技术 | 第38-44页 |
| ·光学显微镜 | 第38-39页 |
| ·原子力显微镜 | 第39-40页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第40页 |
| ·拉曼光谱 | 第40-42页 |
| ·光致发光谱 | 第42-43页 |
| ·X射线光电子能谱 | 第43-44页 |
| 参考文献 | 第44-45页 |
| 第三章 单层二硫化钼可控生长 | 第45-59页 |
| ·引言 | 第45页 |
| ·实验过程 | 第45-46页 |
| ·生长条件对单层二硫化钼制备的影响 | 第46-53页 |
| ·单层二硫化钼的表征 | 第53-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-59页 |
| 第四章 不同气氛下的热处理对单层二硫化钼的影响 | 第59-69页 |
| ·引言 | 第59页 |
| ·样品制备 | 第59-60页 |
| ·不同气氛中退火 | 第60-66页 |
| ·氮气氛中退火 | 第60页 |
| ·硫气氛中退火 | 第60-61页 |
| ·空气中退火 | 第61-62页 |
| ·低真空中退火 | 第62-66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-69页 |
| 第五章 不同衬底对单层二硫化钼光学性质的影响 | 第69-77页 |
| ·引言 | 第69页 |
| ·实验 | 第69-70页 |
| ·单层二硫化钼的制备过程 | 第69页 |
| ·单层二硫化钼的转移 | 第69-70页 |
| ·结果与讨论 | 第70-73页 |
| ·不同衬底对生长单层二硫化钼的影响 | 第70-72页 |
| ·单层二硫化钼的转移研究 | 第72-73页 |
| ·本章小结 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-77页 |
| 在读期间发表的学术论文与研究成果 | 第77-79页 |
| 致谢 | 第79页 |
