| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| ·论文研究背景及意义 | 第10-11页 |
| ·国内外发展及研究现状 | 第11-15页 |
| ·SiC器件发展现状 | 第11-12页 |
| ·SiC应用研究现状 | 第12-13页 |
| ·SiC MOSFET应用现状 | 第13-15页 |
| ·本文主要工作 | 第15-16页 |
| 第二章 SiC MOSFET特性分析 | 第16-27页 |
| ·SiC MOSFET器件特性 | 第16-23页 |
| ·静态特性及参数 | 第16-20页 |
| ·动态特性及参数 | 第20-23页 |
| ·体二极管特性分析 | 第23-26页 |
| ·本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 基SiC MOSFET逆变器损耗分析 | 第27-70页 |
| ·SiC器件损耗组成及计算方法 | 第27-30页 |
| ·SiC MOSFET不同导通情况下损耗分析 | 第30-40页 |
| ·SiC MOSFET在不同调制方式下的损耗分析 | 第40-52页 |
| ·SPWM调制 | 第40-42页 |
| ·SVPWM调制 | 第42-48页 |
| ·调制方式对损耗影响分析 | 第48-52页 |
| ·SiC MOSFET在不同电路拓扑中的损耗分析 | 第52-66页 |
| ·三相两电平 | 第52-53页 |
| ·I型三电平 | 第53-57页 |
| ·T型三电平 | 第57-61页 |
| ·逆变器拓扑对损耗影响分析 | 第61-66页 |
| ·Si IGBT损耗与SiC MOSFET损耗对比 | 第66-68页 |
| ·本章小结 | 第68-70页 |
| 第四章 SiC MOSFET逆变器设计及仿真分析 | 第70-104页 |
| ·驱动电路研究 | 第70-87页 |
| ·驱动参数选择 | 第72-76页 |
| ·驱动电路设计 | 第76-83页 |
| ·双脉冲实验分析 | 第83-87页 |
| ·缓冲电路选择及仿真分析 | 第87-96页 |
| ·缓冲电路分类 | 第88-92页 |
| ·缓冲电路仿真分析 | 第92-96页 |
| ·光伏逆变器主电路参数仿真分析及设计 | 第96-103页 |
| ·本章小结 | 第103-104页 |
| 第五章 SiC MOSFET逆变器实验分析 | 第104-110页 |
| ·单相逆变器实验 | 第104-107页 |
| ·光伏逆变器功率损耗实验 | 第107-109页 |
| ·本章小结 | 第109-110页 |
| 第六章 结论及展望 | 第110-112页 |
| 参考文献 | 第112-117页 |
| 附录 | 第117-119页 |
| 致谢 | 第119-120页 |
| 在学期间发表的学术论文、专利及科研情况 | 第120页 |