| 致谢 | 第1-6页 |
| 摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7-12页 |
| 第一章 引言 | 第12-22页 |
| ·研究背景和意义 | 第12-15页 |
| ·研究现状 | 第15-21页 |
| ·离子辐照引起的Si C材料宏观性能的变化 | 第15-19页 |
| ·离子辐照引起的Si C材料机械性能的变化 | 第15-16页 |
| ·离子辐照引起的Si C材料的热导变化 | 第16-17页 |
| ·离子辐照引起的Si C材料的光学性质变化 | 第17-19页 |
| ·He离子辐照引起的Si C材料微观性能的变化 | 第19-21页 |
| ·本论文研究内容 | 第21-22页 |
| 第二章 辐照损伤基础 | 第22-28页 |
| ·辐照损伤事件 | 第22-23页 |
| ·入射粒子与点阵原子相互作用 | 第23-25页 |
| ·Dpa的计算 | 第25页 |
| ·He原子的引入以及He泡的形成 | 第25-28页 |
| 第三章 He离子辐照实验 | 第28-32页 |
| ·He离子辐照实验平台 | 第28-30页 |
| ·辐照实验参数 | 第30-32页 |
| 第四章 实验结果与分析 | 第32-68页 |
| 一．单晶 6H-Si C中He行为研究 | 第32-46页 |
| ·He离子辐照 6H-Si C引入缺陷的光谱研究 | 第32-42页 |
| ·结果与讨论 | 第32-42页 |
| ·相对拉曼强度、相对吸收系数与温度之间的变化关系 | 第37-40页 |
| ·相对拉曼强度、相对吸收系数与注量之间的变化关系 | 第40-41页 |
| ·与高温下硅离子辐照碳化硅结果相比较 | 第41-42页 |
| ·小结 | 第42页 |
| ·He离子辐照 6H-Si C退火前后HRXRD研究 | 第42-46页 |
| ·结果与讨论 | 第43-46页 |
| ·He离子辐照 6H-Si C未退火HRXRD研究 | 第43-44页 |
| ·He离子辐照 6H-Si C退火后HRXRD研究 | 第44-46页 |
| ·小结 | 第46页 |
| 二．烧结Si C中He行为研究 | 第46-68页 |
| ·He离子辐照烧结Si C的Raman光谱研究 | 第46-50页 |
| ·结果与讨论 | 第46-50页 |
| ·小结 | 第50页 |
| ·He离子辐照烧结Si C的纳米压痕研究 | 第50-52页 |
| ·结果与讨论 | 第51-52页 |
| ·小结 | 第52页 |
| ·He离子辐照烧结Si C引入He泡的TEM研究 | 第52-64页 |
| ·结果与讨论 | 第53-64页 |
| ·晶界处的气泡 | 第53-56页 |
| ·晶粒内部的气泡 | 第56-64页 |
| ·小结 | 第64页 |
| 三．单晶 6H-Si C与烧结Si C中He行为的对比研究 | 第64-68页 |
| ·拉曼光谱结果的对比研究 | 第64-65页 |
| ·纳米压痕结果的对比研究 | 第65-66页 |
| ·晶粒内He泡浓度的对比研究 | 第66-67页 |
| ·小结 | 第67-68页 |
| 第五章 结论与展望 | 第68-71页 |
| ·结论 | 第68-70页 |
| 一．单晶 6H-Si C中He行为研究 | 第68-69页 |
| ·He离子辐照 6H-Si C引入缺陷的光谱研究 | 第68页 |
| ·He离子辐照 6H-Si C退火前后HRXRD研究 | 第68-69页 |
| 二．烧结Si C中He行为研究 | 第69-70页 |
| ·He离子辐照烧结Si C的Raman光谱研究 | 第69页 |
| ·He离子辐照烧结Si C的纳米压痕研究 | 第69页 |
| ·He离子辐照烧结Si C引入He泡的TEM研究 | 第69-70页 |
| 三．单晶 6H-Si C 与烧结 Si C 中 He 行为的对比研究 | 第70页 |
| ·展望 | 第70-71页 |
| 附录 测试仪器相关简介 | 第71-78页 |
| 一． 显微激光共聚焦拉曼光谱仪（Raman） | 第71-72页 |
| 二． 紫外可见透射仪（UV） | 第72页 |
| 三． 高分辨X射线衍射仪(HRXRD) | 第72-73页 |
| 四． 粉末X射线衍射仪(XRD) | 第73页 |
| 五． 透射电子显微镜（TEM） | 第73-75页 |
| 六． 扫描电子显微镜（SEM） | 第75-76页 |
| 七． 退火装置 | 第76-77页 |
| 八． 纳米压痕仪 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-85页 |
| 作者简介及在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第85页 |
