GaN纳米材料的制备、掺杂及发光性能研究
| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-29页 |
| ·纳米材料简介 | 第11-12页 |
| ·纳米半导体材料的分类与性质 | 第12-19页 |
| ·纳米半导体材料的分类 | 第12-14页 |
| ·纳米半导体材料的性质 | 第14-19页 |
| ·Ⅲ-Ⅴ族氮化物纳米材料 | 第19-20页 |
| ·氮化镓纳米材料 | 第20-27页 |
| ·氮化镓纳米材料的结构 | 第20-22页 |
| ·氮化镓纳米材料的性质 | 第22-25页 |
| ·氮化镓纳米材料的制备 | 第25-27页 |
| ·本文论文的研究目的、意义和主要内容 | 第27-29页 |
| 第2章 实验设备、原理及测试仪器 | 第29-35页 |
| ·实验设备及原理 | 第29-31页 |
| ·实验设备 | 第29页 |
| ·实验材料 | 第29-30页 |
| ·实验原理 | 第30-31页 |
| ·测试仪器 | 第31-34页 |
| ·X射线衍射仪 | 第31-32页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第32页 |
| ·拉曼光谱仪 | 第32-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 第3章 低气压下GaN纳米材料的制备 | 第35-45页 |
| ·衬底材料的选择与预处理 | 第35-38页 |
| ·低气压下石英衬底上特殊形貌GaN纳米结构的制备 | 第38-44页 |
| ·实验条件和SEM分析 | 第38-41页 |
| ·拉曼光谱分析 | 第41-42页 |
| ·光致发光谱分析 | 第42-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 第4章 常压下GaN纳米材料的制备 | 第45-57页 |
| ·镓源附近GaN纳米粒子的制备 | 第45-48页 |
| ·样品的X射线衍射谱图 | 第45-46页 |
| ·SEM分析 | 第46-47页 |
| ·光致发光光谱分析 | 第47-48页 |
| ·石英衬底上GaN纳米结构的制备 | 第48-56页 |
| ·不同温度下GaN纳米结构的制备 | 第48-53页 |
| ·不同反应时间下GaN纳米结构的制备 | 第53-54页 |
| ·不同流量下GaN纳米结构的制备 | 第54-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 第5章 GaN纳米材料的掺杂研究 | 第57-63页 |
| ·Zn掺杂GaN纳米材料的制备 | 第57-60页 |
| ·XRD分析 | 第57-58页 |
| ·SEM分析 | 第58-59页 |
| ·拉曼光谱分析 | 第59-60页 |
| ·ZnO掺杂氮化镓纳米材料的制备 | 第60-62页 |
| ·SEM分析 | 第60-61页 |
| ·拉曼光谱分析 | 第61-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 结论 | 第63-66页 |
| 参考文献 | 第66-74页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文和取得的科研成果 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
