首页--工业技术论文--一般工业技术论文--工程材料学论文--其他材料论文

基于磁性特异电磁介质的热控折射率特性和非互易古斯—汉欣位移

摘要第1-4页
ABSTRACT第4-8页
第一章 绪论第8-19页
   ·研究背景第8-9页
   ·特异电磁介质的发展第9-12页
   ·理论研究方法第12-18页
     ·单根磁性柱散射第12-14页
     ·磁性柱阵列的多重散射理论第14-15页
     ·磁性柱的等效介质理论第15-18页
   ·论文内容要点第18-19页
第二章 温度调控等效折射率的特异电磁介质第19-24页
   ·研究背景第19-20页
   ·温度调控理论第20-22页
   ·温度调控的电场模拟第22-23页
   ·小结第23-24页
第三章 零折射特异电磁介质对波前的调控第24-29页
   ·引言第24页
   ·研究背景第24-25页
   ·零折射率理论第25-26页
   ·零折射的电场模拟第26-28页
   ·小结第28-29页
第四章 特异电磁介质的古斯-汉欣位移第29-55页
   ·引言第29-34页
     ·古斯-汉欣位移研究背景第29-31页
     ·古斯-汉欣位移研究现状第31-34页
   ·传统光学古斯-汉欣位移的理论第34-37页
     ·引理稳态相位法第34页
     ·传统光学有限光束利用平面波展开形式第34-36页
     ·传统光学得到的古斯-汉欣位移公式第36-37页
   ·旋磁介质的古斯-汉欣位移理论第37-47页
     ·古斯-汉欣位移与反射系数的关系第37-38页
     ·半无限旋磁体系下的古斯-汉欣位移解析表达式第38-41页
     ·考虑厚度的旋磁体系下的古斯-汉欣位移解析表达式第41-47页
   ·旋磁体系古斯-汉欣位移的相图第47-49页
   ·数值模拟第49-53页
     ·数值模拟古斯-汉欣位移的相图第49-50页
     ·数值模拟垂直入射时古斯-汉欣位移第50-51页
     ·数值模拟倾斜入射时古斯-汉欣位移第51-53页
   ·小结第53-55页
第五章 总结与展望第55-57页
   ·论文总结第55-56页
   ·不足和展望第56-57页
参考文献第57-61页
攻读硕士期间取得的研究成果第61页
致谢第61-63页
浙江师范大学学位论文诚信承诺书第63页

论文共63页,点击 下载论文
上一篇:碳量子点的制备及其在环境分析中的应用
下一篇:Fe基非晶材料电流退火的实时监测系统