| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-6页 |
| 第一章 绪论 | 第6-10页 |
| ·引言 | 第6页 |
| ·InP基单模半导体激光器研究进展 | 第6-8页 |
| ·研究目的和意义 | 第8页 |
| ·本文研究内容 | 第8-10页 |
| 第二章 单模半导体激光器的模式特性 | 第10-19页 |
| ·半导体激光器的基本原理 | 第10-13页 |
| ·模式特性 | 第13-15页 |
| ·脊型波导 | 第15-16页 |
| ·脊型波导结构的单模条件 | 第16-17页 |
| ·本章总结 | 第17-19页 |
| 第三章 1550nm InP基单模半导体激光器的结构设计 | 第19-35页 |
| ·半导体激光器的外延材料结构设计 | 第19-20页 |
| ·1550nm InP基单模半导体激光器仿真 | 第20-21页 |
| ·器件形貌对器件模式特性的影响 | 第21-26页 |
| ·器件形貌对器件输出特性的影响 | 第26-30页 |
| ·仿真效果 | 第30-33页 |
| ·本章总结 | 第33-35页 |
| 第四章 InP基单模半导体激光器的制备工艺 | 第35-56页 |
| ·材料外延生长技术 | 第35-37页 |
| ·外延片的光刻工艺 | 第37-41页 |
| ·外延片的刻蚀工艺 | 第41-47页 |
| ·外延片后续制作工艺 | 第47-49页 |
| ·器件的输出特性测试 | 第49-53页 |
| ·温度对器件输出特性的测试 | 第53-56页 |
| 结论 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-60页 |