| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-20页 |
| ·前言 | 第9页 |
| ·分子印迹 | 第9-13页 |
| ·分子印迹原理 | 第9-10页 |
| ·印迹分子(或模板分子) | 第10-11页 |
| ·识别元件 | 第11-12页 |
| ·丙烯酸或乙烯基聚合物 | 第11-12页 |
| ·其它有机聚合物 | 第12页 |
| ·其它印迹基质 | 第12页 |
| ·分子印迹技术的挑战 | 第12-13页 |
| ·分子印迹电化学传感器 | 第13-17页 |
| ·分子印迹电化学传感器类型 | 第13-16页 |
| ·电导型传感器 | 第13-14页 |
| ·电容或阻抗型传感器 | 第14-15页 |
| ·电位型传感器 | 第15页 |
| ·电流型传感器 | 第15-16页 |
| ·传感器敏感膜的制备方法 | 第16-17页 |
| ·研究背景及研究内容 | 第17-20页 |
| ·莠去津概述 | 第17页 |
| ·石墨烯修饰电极 | 第17-18页 |
| ·主要研究内容 | 第18-19页 |
| ·本文的主要特色与创新 | 第19-20页 |
| 第二章 莠去津与邻苯二胺的相互作用研究 | 第20-27页 |
| ·前言 | 第20页 |
| ·计算方法 | 第20-22页 |
| ·结果与讨论 | 第22-26页 |
| ·ATZ与o-PD几何构型的优化 | 第22-23页 |
| ·ATZ与o-PD复合物几何构型的优化 | 第23-24页 |
| ·电荷分布 | 第24-25页 |
| ·结合能 | 第25-26页 |
| ·本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 莠去津分子印迹敏感膜的制备 | 第27-38页 |
| ·前言 | 第27页 |
| ·实验部分 | 第27-30页 |
| ·实验仪器与试剂 | 第27页 |
| ·分子印迹膜敏感膜的制备 | 第27-29页 |
| ·金电极的预处理 | 第27-28页 |
| ·分子印迹膜制备条件的优化 | 第28-29页 |
| ·电化学表征方法 | 第29页 |
| ·分子印迹敏感膜的吸附性能 | 第29-30页 |
| ·结果与讨论 | 第30-36页 |
| ·莠去津的电化学行为 | 第30-31页 |
| ·电聚合邻苯二胺 | 第31-33页 |
| ·分子印迹膜制备条件的优化 | 第33-36页 |
| ·电聚合扫描速率的选择 | 第33页 |
| ·电聚合扫描圈数的选择 | 第33-34页 |
| ·模板分子与功能单体比例的影响 | 第34-35页 |
| ·吸附时间 | 第35-36页 |
| ·本章小结 | 第36-38页 |
| 第四章 莠去津分子印迹膜修饰电极的表征 | 第38-49页 |
| ·引言 | 第38页 |
| ·实验部分 | 第38-40页 |
| ·实验仪器和试剂 | 第38-39页 |
| ·分子印迹膜的制备 | 第39页 |
| ·印迹膜修饰电极的电化学性质 | 第39页 |
| ·印迹电极的检测范围、检出限 | 第39页 |
| ·印迹电极的选择性 | 第39-40页 |
| ·结果与讨论 | 第40-47页 |
| ·分子印迹膜的电化学性质 | 第40-43页 |
| ·循环伏安法表征 | 第40-41页 |
| ·差分脉冲伏安法表征 | 第41-42页 |
| ·交流阻抗法表征 | 第42-43页 |
| ·印迹电极对莠去津的响应性 | 第43-44页 |
| ·印迹电极的选择性 | 第44-46页 |
| ·稳定性、重复使用性和回收率 | 第46-47页 |
| ·本章小结 | 第47-49页 |
| 第五章 莠去津分子印迹膜-石墨烯修饰电极的制备与性能 | 第49-60页 |
| ·引言 | 第49页 |
| ·实验部分 | 第49-51页 |
| ·实验仪器和试剂 | 第49页 |
| ·石墨烯的制备 | 第49-50页 |
| ·石墨烯修饰电极的制备 | 第50页 |
| ·分子印迹修饰电极的制备 | 第50-51页 |
| ·修饰电极检测莠去津 | 第51页 |
| ·结果与讨论 | 第51-59页 |
| ·石墨烯的表征 | 第51-53页 |
| ·石墨烯修饰电极的电化学行为 | 第53-55页 |
| ·印迹膜-石墨烯修饰电极的电化学性质 | 第55页 |
| ·检测范围、检出限 | 第55-58页 |
| ·印迹膜-石墨烯修饰电极的选择性及稳定性 | 第58-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 结论 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 个人简介 | 第72页 |