| 第一章 绪论 | 第1-23页 |
| 1．1 前言 | 第7页 |
| 1．2 LiNbO_3集成光学器件的应用 | 第7-11页 |
| 1．3 光调制器最新进展 | 第11-17页 |
| 1．4 LiNbO_3调制器国内发展状况 | 第17-18页 |
| 1．5 本论文意义 | 第18页 |
| 1．6 本论文主要工作 | 第18-19页 |
| 1．7 本论文的内容组成 | 第19页 |
| 参考文献 | 第19-23页 |
| 第二章 质子交换铌酸锂波导的研究 | 第23-38页 |
| 2．1 质子交换波导的结构特性 | 第23-25页 |
| 2．2 质子浓度分布与折射率分布关系 | 第25-33页 |
| 2．2．1 质子交换扩散方程 | 第26-28页 |
| 2．2．2 折射率分布与质子浓度的关系 | 第28-29页 |
| 2．2．3 退火后质子交换波导折射率分布 | 第29-31页 |
| 2．2．4 折射率测量 | 第31-33页 |
| 2．3 质子交换单模波导的设计 | 第33-36页 |
| 小结 | 第36页 |
| 参考资料 | 第36-38页 |
| 第三章 质子交换LiNbO_3单Y相位调制器的设计 | 第38-59页 |
| 3．1 三维FD-BPM的研究 | 第38-43页 |
| 3．2 对称Y分支优化设计 | 第43-48页 |
| 3．2．1 直接转向型对称Y分支 | 第44-45页 |
| 3．2．2 对称S弯曲型Y分支 | 第45-47页 |
| 3．3．3 不同S弯曲Y分支的比较 | 第47-48页 |
| 3．3 电极设计 | 第48-57页 |
| 3．3．1 电光调制原理 | 第48-50页 |
| 3．3．2 半波电压 | 第50-52页 |
| 3．3．3 调制带宽 | 第52-54页 |
| 3．3．4 电极优化设计 | 第54-57页 |
| 小结 | 第57页 |
| 参考文献 | 第57-59页 |
| 第四章 制作工艺 | 第59-72页 |
| 4．1 器件制作工艺 | 第59-63页 |
| 4．1．1 基片的清洗 | 第59-60页 |
| 4．1．2 波导掩膜与电极的制作 | 第60-63页 |
| 4．2 单Y相位调制器制作工艺流程 | 第63-66页 |
| 4．3 实验结果和实验中遇到的问题 | 第66-71页 |
| 参考文献 | 第71-72页 |
| 第五章 器件测试 | 第72-81页 |
| 5．1 光信号处理系统 | 第72-73页 |
| 5．2 直波导损耗的测量 | 第73-74页 |
| 5．3 对称Y-分支两输出分光比的测量 | 第74页 |
| 5．4 器件插入损耗测量 | 第74-75页 |
| 5．5 最小半波电压测试 | 第75-78页 |
| 5．6 频率响应测量 | 第78页 |
| 5．7 测试结果 | 第78-80页 |
| 参考文献 | 第80-81页 |
| 第六章 总结与展望 | 第81-83页 |
| 致谢 | 第83页 |