| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 1 绪论 | 第10-33页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·SiC及其一维纳米材料概述 | 第11-20页 |
| ·SiC的结构 | 第11-12页 |
| ·SiC的性质 | 第12-15页 |
| ·SiC的重要应用 | 第15-17页 |
| ·SiC一维纳米材料的制备研究概述 | 第17-20页 |
| ·纳米材料的掺杂 | 第20-23页 |
| ·半导体材料的掺杂 | 第20-21页 |
| ·纳米材料的掺杂 | 第21-22页 |
| ·SiC的n型和p型掺杂 | 第22-23页 |
| ·SiC一维纳米材料的掺杂概述 | 第23页 |
| ·场发射及SiC一维纳米材料的场发射性能研究概况 | 第23-26页 |
| ·场发射的基本原理 | 第23-24页 |
| ·场发射理论及研究意义 | 第24-25页 |
| ·SiC一维纳米材料场发射研究概况 | 第25-26页 |
| ·密度泛函理论及应用软件介绍 | 第26-30页 |
| ·密度泛函理论简介 | 第26-27页 |
| ·Hohenberg-Kohn理论 | 第27-28页 |
| ·Kohn-Sham方程 | 第28-30页 |
| ·本文选题依据、主要内容及创新点 | 第30-33页 |
| ·本文的选题依据 | 第30-31页 |
| ·本文主要研究内容 | 第31-32页 |
| ·本文的主要创新点 | 第32-33页 |
| 2 实验部分 | 第33-41页 |
| ·实验所用主要原料和仪器设备 | 第33-34页 |
| ·实验药品及主要设备 | 第33页 |
| ·原料及石墨基片预处理 | 第33-34页 |
| ·催化剂溶液的配制 | 第34页 |
| ·实验方法 | 第34-37页 |
| ·N掺杂SiC纳米线场发射性能测试方法 | 第37-39页 |
| ·场发射性能测试装置 | 第37-38页 |
| ·场发射特性测试步骤 | 第38页 |
| ·评价参数 | 第38-39页 |
| ·N掺杂SiC纳米线的第一性原理计算 | 第39页 |
| ·Castep软件的使用 | 第39页 |
| ·SiC一维纳米材料的主要表征方法 | 第39-41页 |
| 3 C_3H_6N_6为掺杂剂制备N掺杂SiC纳米线及场发射性能研究 | 第41-51页 |
| ·引言 | 第41页 |
| ·C_3H_6N_6为掺杂剂制备N掺杂SiC纳米线工艺参数研究 | 第41-46页 |
| ·原料m(Si/SiO_2)：m(C_3H_6N_6)质量比对产物场发射性能影响规律研究 | 第41-43页 |
| ·合成温度对产物场发射性能影响规律研究 | 第43-44页 |
| ·保温时间对产物场发射性能影响规律研究 | 第44-46页 |
| ·C_3H_6N_6为掺杂剂制备N掺杂SiC纳米线微观结构分析 | 第46-49页 |
| ·C_3H_6N_6为掺杂剂制备N掺杂SiC纳米线场发射性能机理研究 | 第49页 |
| ·本章小结 | 第49-51页 |
| 4 CO(NH_2)_2为掺杂剂制备N掺杂SiC纳米线及场发射性能研究 | 第51-60页 |
| ·引言 | 第51页 |
| ·CO(NH_2)_2为掺杂剂制备N掺杂SiC纳米线工艺参数研究 | 第51-55页 |
| ·原料m(Si/SiO_2)：m(CO(NH_2)_2)质量比对产物场发射性能影响规律研究 | 第51-53页 |
| ·合成温度对产物场发射性能影响规律研究 | 第53-54页 |
| ·尿素(CO(NH_2)_2)保温温度对产物场发射性能影响规律研究 | 第54-55页 |
| ·CO(NH_2)_2为掺杂剂制备N掺杂SiC纳米线微观结构分析 | 第55-57页 |
| ·CO(NH2_)_2为掺杂剂制备N掺杂SiC纳米线场发射性能机理研究 | 第57-58页 |
| ·本章小结 | 第58-60页 |
| 5 PCS裂解制备SiC/SiO_2及N掺杂SiC/SiO_2同轴纳米电缆及场发射性能研究 | 第60-68页 |
| ·引言 | 第60-61页 |
| ·PCS裂解制备SiC/SiO_2同轴纳米电缆 | 第61-64页 |
| ·SiC/SiO_2同轴纳米电缆形貌分析 | 第61-62页 |
| ·SiC/SiO_2同轴纳米电缆微观结构分析 | 第62-63页 |
| ·SiC/SiO_2同轴纳米电缆机理探讨 | 第63-64页 |
| ·SiC/SiO_2同轴纳米电缆场发射性能研究 | 第64页 |
| ·以PCS和C_3H_6N_6为原料制备N掺杂SiC/SiO_2同轴纳米电缆 | 第64-67页 |
| ·N掺杂SiC/SiO_2同轴纳米电缆形貌分析 | 第64-66页 |
| ·N掺杂SiC/SiO_2同轴纳米电缆微观结构分析 | 第66页 |
| ·N掺杂SiC/SiO_2同轴纳米电缆场发射性能研究 | 第66-67页 |
| ·本章小结 | 第67-68页 |
| 6 DFT计算及掺杂机理分析 | 第68-74页 |
| ·引言 | 第68页 |
| ·N掺杂SiC一维纳米材料的DFT计算及分析 | 第68-71页 |
| ·模型构建 | 第68-69页 |
| ·计算方法 | 第69页 |
| ·能带结构和态密度 | 第69-71页 |
| ·掺杂对产物场发射性能影响机理分析 | 第71-72页 |
| ·本章小结 | 第72-74页 |
| 结论 | 第74-76页 |
| 参考文献 | 第76-86页 |
| 致谢 | 第86-87页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文及获奖目录 | 第87-88页 |
