| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-33页 |
| ·研究背景及意义 | 第12-17页 |
| ·相变材料的发展历史 | 第12页 |
| ·相变材料存储原理 | 第12-14页 |
| ·相变材料的相变机理 | 第14-15页 |
| ·研究现状及意义 | 第15-17页 |
| ·Rietveld 全谱拟合方法结构精修 | 第17-24页 |
| ·引言 | 第17-18页 |
| ·Rietveld 方法的原理 | 第18-21页 |
| ·Rietveld 法中的各影响因子 | 第21-23页 |
| ·Rietveld 法精修的步骤 | 第23-24页 |
| ·相变机理的第一性原理研究 | 第24-30页 |
| ·绝热近似 | 第24-25页 |
| ·Hartress-Fock 单电子近似 | 第25-26页 |
| ·Hohenberg-Kohn 定理 | 第26-27页 |
| ·Kohn-Sham 方程 | 第27-28页 |
| ·密度泛函的交换关联泛函 | 第28页 |
| ·基于密度泛函理论的第一性原理求解方法 | 第28-30页 |
| ·XRD 衍射仪的工作原理及应用 | 第30-32页 |
| ·X 射线衍射的原理 | 第30页 |
| ·X 射线衍射仪的应用 | 第30-32页 |
| ·本文工作 | 第32-33页 |
| 第二章 实验材料、仪器及方案 | 第33-36页 |
| ·实验材料 | 第33页 |
| ·实验仪器 | 第33-35页 |
| ·磁控溅射仪器 | 第33-34页 |
| ·XRD 检测仪器 | 第34-35页 |
| ·实验方案 | 第35-36页 |
| 第三章 GeTe 相变材料原位变温结构检测及相变机理探讨 | 第36-64页 |
| ·GeTe 相变材料原位变温 XRD 检测 | 第36-38页 |
| ·物相分析 | 第38-42页 |
| ·实验数据分析 | 第42-43页 |
| ·结构精修 | 第43-51页 |
| ·300℃时 GeTe 的结构精修 | 第43-46页 |
| ·400℃时 GeTe 的结构精修 | 第46-48页 |
| ·退火后回到室温时 GeTe 的结构精修 | 第48-51页 |
| ·第一性原理相变机理分析 | 第51-63页 |
| ·计算方法及建模 | 第52-53页 |
| ·电子结构分析 | 第53-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 第四章 Bi 掺杂 GeTe 相变材料原位变温结构检测及其研究 | 第64-73页 |
| ·Ge_1Bi_2Te_4相变材料原位变温 XRD 检测 | 第64-65页 |
| ·物相分析 | 第65-67页 |
| ·实验数据分析 | 第67-68页 |
| ·结构精修 | 第68-72页 |
| ·不同温度下 Ge_1Bi_2Te_4的结构精修 | 第68页 |
| ·不同温度下 Ge_1Bi_2Te_4的精修结果分析 | 第68-72页 |
| ·本章小结 | 第72-73页 |
| 第五章 Sb 掺杂 GeTe 相变材料原位变温结构检测及其研究 | 第73-82页 |
| ·Ge_2Sb_2Te_5相变材料原位变温 XRD 检测 | 第73-74页 |
| ·物相分析 | 第74-75页 |
| ·实验数据分析 | 第75-77页 |
| ·结构精修 | 第77-81页 |
| ·不同温度下 Ge_2Sb_2Te_5的结构精修 | 第77页 |
| ·不同温度下 Ge_2Sb_2Te_5的精修结果分析 | 第77-81页 |
| ·本章小结 | 第81-82页 |
| 第六章 总结与展望 | 第82-85页 |
| ·总结 | 第82-84页 |
| ·展望 | 第84-85页 |
| 参考文献 | 第85-90页 |
| 附录 | 第90-92页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文及取得的相关科研成果 | 第92-93页 |
| 致谢 | 第93-94页 |
