| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-16页 |
| ·研究背景 | 第9-10页 |
| ·硅的表面 | 第10-16页 |
| ·单晶Si(111)-7×7表面的几何结构和电子结构 | 第10-14页 |
| ·单晶Si(100)-2×1表面的几何结构和电子结构 | 第14-16页 |
| 第二章 H_2S分子在Si(111)-7×7表面上的吸附解离机理的理论研究 | 第16-22页 |
| ·引言 | 第16页 |
| ·计算模型和方法 | 第16-17页 |
| ·结果和讨论 | 第17-21页 |
| ·第一个H_2S分子在吸附原子和剩余原子上的解离吸附 | 第17-19页 |
| ·第二个H_2S分子在吸附原子上的解离吸附 | 第19页 |
| ·第三个H_2S分子在吸附原子上的解离吸附 | 第19-20页 |
| ·第四个H_2S分子在吸附原子上的解离吸附 | 第20-21页 |
| ·小结 | 第21-22页 |
| 第三章 吡嗪和嘧啶在Si(111)-7×7表面上的化学吸附机理的理论研究 | 第22-28页 |
| ·引言 | 第22-23页 |
| ·计算模型和方法 | 第23页 |
| ·结果和讨论 | 第23-27页 |
| ·吡嗪在Si(111)-7×7表面的吸附 | 第23-25页 |
| ·嘧啶在Si(111)-7×7表面的吸附 | 第25-27页 |
| ·小结 | 第27-28页 |
| 第四章 二甲基硅烷和三甲基硅烷在Si(100)-2×1表面上的分解吸附机理的理论研究 | 第28-37页 |
| ·引言 | 第28页 |
| ·计算模型和方法 | 第28-29页 |
| ·结果和讨论 | 第29-36页 |
| ·二甲基硅烷在一个二聚体和两个邻近的二聚体上的反应路径 | 第29-32页 |
| ·三甲基硅烷在一个二聚体和两个邻近的二聚体上的反应路径 | 第32-34页 |
| ·二甲基硅烷在V-trench二聚体上的反应 | 第34-36页 |
| ·小结 | 第36-37页 |
| 结论与展望 | 第37-38页 |
| 参考文献 | 第38-46页 |
| 致谢 | 第46-47页 |
| 附录A | 第47页 |
