Mn的氧化物薄膜的制备与表征
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 绪论 | 第10-11页 |
| 第一章 文献综述 | 第11-25页 |
| ·化学修饰电极 | 第11-16页 |
| ·化学修饰电极的研究进展 | 第12-13页 |
| ·化学修饰电极的制备方法 | 第13-14页 |
| ·化学修饰电极的种类 | 第14页 |
| ·化学修饰电极的材料 | 第14-16页 |
| ·化学修饰电极的表征 | 第16页 |
| ·过渡金属氧化物 | 第16-20页 |
| ·过渡金属氧化物的性质 | 第17-19页 |
| ·过渡金属氧化物的应用 | 第19-20页 |
| ·二氧化锰的介绍 | 第20-24页 |
| ·MnO_2的结构类型 | 第20-22页 |
| ·MnO_2的电极作用原理 | 第22-23页 |
| ·MnO_2超级电容器的容量的现存不足 | 第23-24页 |
| ·本论文的内容 | 第24-25页 |
| 第二章 MnO_2薄膜的制备 | 第25-36页 |
| ·前言 | 第25-27页 |
| ·MnO_2薄膜制备方法 | 第25-26页 |
| ·MnO_2薄膜制备原理 | 第26-27页 |
| ·实验所用仪器和药品 | 第27-28页 |
| ·MnO_x薄膜制备实验方案 | 第28-32页 |
| ·实验准备 | 第28-30页 |
| ·不同浓度下制备 | 第30页 |
| ·不同基底材料下制备 | 第30-31页 |
| ·不同温度下制备 | 第31页 |
| ·不同反应时间下制备 | 第31-32页 |
| ·不同pH值下制备 | 第32页 |
| ·MnO_2的表征 | 第32-36页 |
| ·X射线衍射技术(XRD) | 第32页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第32页 |
| ·循环伏安法(CV) | 第32-36页 |
| 第三章 MnO_2薄膜制备的影响因素 | 第36-49页 |
| ·浓度对MnO_2薄膜制备的影响 | 第36-39页 |
| ·XRD表征的数据结果 | 第37-38页 |
| ·SEM表征的数据结果 | 第38-39页 |
| ·基底材料对MnO_2薄膜制备的影响 | 第39-42页 |
| ·XRD表征的数据结果 | 第40-41页 |
| ·SEM表征的数据结果 | 第41-42页 |
| ·温度对MnO_2薄膜制备的影响 | 第42-44页 |
| ·XRD表征的数据结果 | 第43页 |
| ·SEM表征的数据结果 | 第43-44页 |
| ·反应时间对MnO_2薄膜制备的影响 | 第44-46页 |
| ·XRD表征的数据结果 | 第45页 |
| ·SEM表征的数据结果 | 第45-46页 |
| ·pH值对MnO_2薄膜制备的影响 | 第46-49页 |
| ·XRD表征的数据结果 | 第47-48页 |
| ·SEM表征的数据结果 | 第48-49页 |
| 结论 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-54页 |
| 致谢 | 第54页 |
