Mn的氧化物薄膜的制备与表征
摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-10页 |
绪论 | 第10-11页 |
第一章 文献综述 | 第11-25页 |
·化学修饰电极 | 第11-16页 |
·化学修饰电极的研究进展 | 第12-13页 |
·化学修饰电极的制备方法 | 第13-14页 |
·化学修饰电极的种类 | 第14页 |
·化学修饰电极的材料 | 第14-16页 |
·化学修饰电极的表征 | 第16页 |
·过渡金属氧化物 | 第16-20页 |
·过渡金属氧化物的性质 | 第17-19页 |
·过渡金属氧化物的应用 | 第19-20页 |
·二氧化锰的介绍 | 第20-24页 |
·MnO_2的结构类型 | 第20-22页 |
·MnO_2的电极作用原理 | 第22-23页 |
·MnO_2超级电容器的容量的现存不足 | 第23-24页 |
·本论文的内容 | 第24-25页 |
第二章 MnO_2薄膜的制备 | 第25-36页 |
·前言 | 第25-27页 |
·MnO_2薄膜制备方法 | 第25-26页 |
·MnO_2薄膜制备原理 | 第26-27页 |
·实验所用仪器和药品 | 第27-28页 |
·MnO_x薄膜制备实验方案 | 第28-32页 |
·实验准备 | 第28-30页 |
·不同浓度下制备 | 第30页 |
·不同基底材料下制备 | 第30-31页 |
·不同温度下制备 | 第31页 |
·不同反应时间下制备 | 第31-32页 |
·不同pH值下制备 | 第32页 |
·MnO_2的表征 | 第32-36页 |
·X射线衍射技术(XRD) | 第32页 |
·扫描电子显微镜(SEM) | 第32页 |
·循环伏安法(CV) | 第32-36页 |
第三章 MnO_2薄膜制备的影响因素 | 第36-49页 |
·浓度对MnO_2薄膜制备的影响 | 第36-39页 |
·XRD表征的数据结果 | 第37-38页 |
·SEM表征的数据结果 | 第38-39页 |
·基底材料对MnO_2薄膜制备的影响 | 第39-42页 |
·XRD表征的数据结果 | 第40-41页 |
·SEM表征的数据结果 | 第41-42页 |
·温度对MnO_2薄膜制备的影响 | 第42-44页 |
·XRD表征的数据结果 | 第43页 |
·SEM表征的数据结果 | 第43-44页 |
·反应时间对MnO_2薄膜制备的影响 | 第44-46页 |
·XRD表征的数据结果 | 第45页 |
·SEM表征的数据结果 | 第45-46页 |
·pH值对MnO_2薄膜制备的影响 | 第46-49页 |
·XRD表征的数据结果 | 第47-48页 |
·SEM表征的数据结果 | 第48-49页 |
结论 | 第49-50页 |
参考文献 | 第50-54页 |
致谢 | 第54页 |