摘要 | 第1-7页 |
Abstract | 第7-11页 |
第一章 绪论 | 第11-29页 |
·引言 | 第11-12页 |
·半导体光催化概述 | 第12-24页 |
·半导体光催化的基本原理 | 第12-14页 |
·半导体光催化的主要应用 | 第14-17页 |
·环境保护方面 | 第14-15页 |
·废水处理 | 第14页 |
·废气处理 | 第14-15页 |
·抗菌防污 | 第15页 |
·能源利用 | 第15-17页 |
·光解水制氢 | 第16-17页 |
·太阳能电池 | 第17页 |
·影响半导体光催化效率的主要因素 | 第17-20页 |
·半导体的能带结构 | 第18页 |
·半导体的晶型、晶面及晶体缺陷 | 第18-19页 |
·半导体的晶粒尺寸 | 第19页 |
·催化剂的形貌 | 第19-20页 |
·提高半导体光催化效率的主要途径 | 第20-24页 |
·形貌控制 | 第20页 |
·晶面控制 | 第20-21页 |
·掺杂 | 第21页 |
·贵金属沉积 | 第21-22页 |
·半导体复合 | 第22-24页 |
·新型可见光光催化剂的研究 | 第24-28页 |
·可见光光催化剂的研究意义 | 第24页 |
·可见光光催化剂的研究进展 | 第24-28页 |
·基于 TiO_2的可见光型光催化剂 | 第24-26页 |
·金属离子掺杂 | 第24-25页 |
·非金属离子掺杂 | 第25页 |
·半导体复合 | 第25-26页 |
·新型可见光型光催化剂 | 第26-28页 |
·窄带隙半导体氧化物 | 第26-27页 |
·硫化物 | 第27页 |
·氮化物和氮氧化物 | 第27页 |
·复合金属氧化物 | 第27-28页 |
·本文的选题依据及研究内容 | 第28-29页 |
第二章 实验方法 | 第29-32页 |
·实验药品 | 第29页 |
·实验仪器 | 第29-30页 |
·表征方法 | 第30页 |
·X 射线衍射分析(XRD) | 第30页 |
·扫描电子显微镜分析(SEM) | 第30页 |
·透射电子显微镜分析(TEM) | 第30页 |
·比表面积分析(BET) | 第30页 |
·光学性质分析(UV-vis DRS) | 第30页 |
·光催化性能测试体系及评价方法 | 第30-32页 |
·光化学反应装置 | 第30-31页 |
·污染物降解评价 | 第31-32页 |
第三章 g-C_3N_4/ZnO 复合光催化剂的制备及其可见光光催化性能的研究 | 第32-39页 |
·前言 | 第32-33页 |
·实验部分 | 第33-34页 |
·材料的制备 | 第33页 |
·材料的表征与测试 | 第33-34页 |
·结果与讨论 | 第34-38页 |
·g- C_3N_4/ZnO 催化剂的 XRD 表征 | 第34页 |
·g-C_3N_4/ZnO 催化剂的 SEM 表征 | 第34-35页 |
·g-C_3N_4/ZnO 催化剂的紫外-可见漫反射分析 | 第35-36页 |
·g-C_3N_4/ZnO 催化剂光催化性能测试 | 第36-38页 |
·本章小结 | 第38-39页 |
第四章 阴离子交换法制备表面分散型 Bi_2O_2CO_3/Bi_2WO_6异质结催化剂及其可见光催化性能研究 | 第39-58页 |
·前言 | 第39-40页 |
·实验部分 | 第40-41页 |
·结果与讨论 | 第41-57页 |
·g-C3N4、BiOCl 和 Bi2O2CO3的 XRD 和 SEM 表征 | 第41-42页 |
·pH 值对 Bi_2O_2CO_3/Bi_2WO_6晶相、形貌和性能的影响 | 第42-45页 |
·g-C_3N_4的加入量对 Bi_2O_2CO_3/Bi_2WO_6晶相、形貌和性能的影响 | 第45-47页 |
·反应时间对 Bi_2O_2CO_3/Bi_2WO_6晶相、形貌和性能的影响 | 第47-49页 |
·Bi_2O_2CO_3/Bi_2WO_6形成机理研究 | 第49-50页 |
·Bi_2O_2CO_3/Bi_2WO_6的结构、形貌、光学性质表征和光催化性能以及机理研究 | 第50-57页 |
·本章小结 | 第57-58页 |
总结 | 第58-60页 |
·本论文的主要工作 | 第58-59页 |
·论文的主要创新点 | 第59-60页 |
参考文献 | 第60-77页 |
攻读硕士学位论文期间取得的研究成果 | 第77-78页 |
致谢 | 第78-79页 |
附件 | 第79页 |