InGaAs-MSM半导体红外探测器阵列研究

摘要	第1-4页
Abstract	第4-8页
第一章 绪论	第8-18页
·引言	第8-9页
·研究意义	第8-9页
·研究背景	第9页
·国内外发展现状	第9-12页
·焦平面器件和Ⅲ-Ⅴ族半导体红外探测器	第12-16页
·几种典型的Ⅲ-Ⅴ族半导体红外探测器	第12-14页
·多元探测器及红外焦平面器件	第14-16页
·本文的主要任务	第16-18页
第二章 InGaAs-MSM 红外探测器结构设计	第18-42页
·基本原理	第18-32页
·InGaAs 材料特性	第18-20页
·MSM 结构及工作原理	第20-32页
·InGaAs-MSM 红外探测器结构	第32-37页
·外延结构设计	第32-36页
·器件图形设计	第36-37页
·探测器的几个重要性能参数	第37-40页
·响应度和量子效率	第38页
·暗电流和探测率	第38-39页
·频率响应	第39-40页
·本章小结	第40-42页
第三章 面阵结构和读出电路介绍	第42-50页
·InGaAs-MSM 面阵探测器设计	第42-44页
·非制冷红外焦平面工作原理	第42-43页
·InGaAs-MSM 红外焦平面图形设计	第43-44页
·读出电路设计	第44-49页
·读出电路设计相关参数	第44-47页
·几种典型焦平面读出电路	第47-49页
·本章小结	第49-50页
第四章 InGaAs-MSM 红外探测器工艺步骤	第50-58页
·MOCVD 技术和 LP-MOCVD 设备	第50-51页
·工艺流程	第51-56页
·外延层的生长	第51-53页
·电极的制作	第53-56页
·封装	第56-57页
·本章小结	第57-58页
第五章 器件测试和实验	第58-64页
·器件性能测试	第58-60页
·三维扫描实验	第60-64页
·实验原理	第60-62页
·实验结果	第62-64页
第六章 总结与展望	第64-66页
参考文献	第66-70页
硕士期间参与发表的文章	第70-72页
致谢	第72页