| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-12页 |
| 第1章 绪论 | 第12-27页 |
| ·研究背景 | 第12-13页 |
| ·半导体光催化剂种类 | 第13-14页 |
| ·光催化剂分类 | 第13页 |
| ·半导体分类 | 第13-14页 |
| ·半导体光催化原理 | 第14-16页 |
| ·半导体光催化剂的应用 | 第16-17页 |
| ·无机污染物的处理 | 第16页 |
| ·有机污染物的处理 | 第16-17页 |
| ·Ti0_2 的研究现状 | 第17-18页 |
| ·W0_3 的研究现状 | 第18-24页 |
| ·W0_3 的化学特性 | 第18-19页 |
| ·W0_3 的改性研究 | 第19-21页 |
| ·WO 3 的制备方法 | 第21-24页 |
| ·Cu_20 的研究现状 | 第24-25页 |
| ·本文主要研究内容 | 第25-26页 |
| ·本课题的特点与创新之处 | 第26-27页 |
| 第2章 实验材料与方法 | 第27-32页 |
| ·实验材料与设备 | 第27-28页 |
| ·实验技术方案 | 第28页 |
| ·实验研究方法 | 第28-30页 |
| ·基片的预处理 | 第28-29页 |
| ·薄膜制备方法 | 第29-30页 |
| ·光催化性能测试 | 第30页 |
| ·膜的表征 | 第30-32页 |
| ·薄膜的XRD 表征 | 第30-31页 |
| ·薄膜的SEM 表征及EDS 表征 | 第31-32页 |
| 第3章 W0_3/Cu_20 薄膜型光催化剂的制备 | 第32-55页 |
| ·绪言 | 第32页 |
| ·W0_3 薄膜的制备与光催化性能 | 第32-36页 |
| ·W0_3 薄膜的制备 | 第32-33页 |
| ·W0_3 薄膜的表征 | 第33-35页 |
| ·W0_3 薄膜的光催化性能 | 第35-36页 |
| ·n-Cu_20 和W0_3/n-Cu_20 的制备及其光催化性能 | 第36-41页 |
| ·n-Cu_20 和W0_3/n-Cu_20 薄膜的制备 | 第36-37页 |
| ·n-Cu_20 和W0_3/n-Cu_20 薄膜的表征 | 第37-39页 |
| ·n-Cu_20 和W0_3/n-Cu_20 的光催化性能 | 第39-41页 |
| ·p-Cu_20 和W0_3/p-Cu_20 的制备与光催化性能 | 第41-53页 |
| ·p-Cu_20 和W0_3/p-Cu_20 的制备 | 第41-42页 |
| ·p-Cu_20 和W0_3/p-Cu_20 薄膜的表征 | 第42-46页 |
| ·p-Cu_20 和W0_3/p-Cu_20 的光催化性能 | 第46-51页 |
| ·p-Cu_20 沉积时间的影响 | 第51-52页 |
| ·W0_3/p-Cu_20 的稳定性试验 | 第52-53页 |
| ·本章小结 | 第53-55页 |
| 第4章 W0_3/p-Cu_20 薄膜型光催化剂的应用 | 第55-72页 |
| ·绪言 | 第55-57页 |
| ·橙黄Ⅱ | 第55-56页 |
| ·六价铬 | 第56-57页 |
| ·橙黄Ⅱ的氧化 | 第57-61页 |
| ·pH 值的影响 | 第57-59页 |
| ·起始浓度的影响 | 第59-60页 |
| ·共存阴阳离子的影响 | 第60-61页 |
| ·六价铬的还原 | 第61-70页 |
| ·空穴清除剂的影响 | 第61-64页 |
| ·空穴清除剂浓度的影响 | 第64-66页 |
| ·pH 值的影响 | 第66-67页 |
| ·起始浓度的影响 | 第67-68页 |
| ·空穴清除剂种类的影响 | 第68-70页 |
| ·本章小结 | 第70-72页 |
| 结论 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-86页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文或获得的科研成果 | 第86-87页 |
| 致谢 | 第87-88页 |
