| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 致谢 | 第7-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-17页 |
| ·引言 | 第14-15页 |
| ·本课题的来源、目的及研究的主要内容 | 第15页 |
| ·本课题在国内外的研究现状 | 第15-16页 |
| ·本课题的意义 | 第16-17页 |
| 第二章 常见氧化钒的晶体结构和性质 | 第17-25页 |
| ·五氧化二钒 | 第18-19页 |
| ·二氧化钒 | 第19-23页 |
| ·A 型二氧化钒 VO_2（A） | 第19-21页 |
| ·B 型二氧化钒 VO_2（B） | 第21页 |
| ·VO_2（A）的能带结构 | 第21-22页 |
| ·VO_2（A）的典型性质 | 第22-23页 |
| ·三氧化二钒 | 第23-24页 |
| ·小节 | 第24-25页 |
| 第三章 掺杂VO_2 薄膜的制备及相关机理 | 第25-37页 |
| ·掺杂VO_2 薄膜制备方法的比较分析 | 第25-27页 |
| ·真空蒸发法 | 第25页 |
| ·离子注入法 | 第25-26页 |
| ·溶胶-凝胶法(Sol-Gel) | 第26页 |
| ·水热合成掺杂法 | 第26页 |
| ·反应磁控溅射法 | 第26-27页 |
| ·反应磁控溅射法 | 第27-29页 |
| ·反应磁控溅射的基本原理 | 第27-28页 |
| ·反应磁控溅射的反应过程 | 第28-29页 |
| ·沉膜机理 | 第29-35页 |
| ·薄膜成核与生长过程 | 第29-33页 |
| ·连续膜的形成过程 | 第33-35页 |
| ·真空退火还原的原理 | 第35-36页 |
| ·真空退火还原制备VO_2 的原理 | 第35页 |
| ·真空退火还原的热力学分析 | 第35-36页 |
| ·小节 | 第36-37页 |
| 第四章 样品的制备与表征 | 第37-46页 |
| ·实验工艺流程 | 第37-38页 |
| ·VO_2 薄膜的制备 | 第37页 |
| ·掺钨VO_2 薄膜的制备 | 第37-38页 |
| ·制膜设备 | 第38-39页 |
| ·磁控溅射镀膜机 | 第38页 |
| ·高真空管式高温炉 | 第38-39页 |
| ·实验材料 | 第39页 |
| ·实验的关键步骤 | 第39-41页 |
| ·玻璃基片准备 | 第39-40页 |
| ·镀膜前准备 | 第40页 |
| ·抽真空沉膜 | 第40页 |
| ·镀膜机的关机、取样 | 第40页 |
| ·真空退火 | 第40-41页 |
| ·实验中一些工艺问题的解决方案 | 第41页 |
| ·样品表征方法的确定 | 第41-45页 |
| ·表面成分分析 | 第41-42页 |
| ·表面结构分析 | 第42-43页 |
| ·表面形貌分析 | 第43-44页 |
| ·电学性能分析 | 第44-45页 |
| ·小节 | 第45-46页 |
| 第五章 实验结果和性能分析 | 第46-66页 |
| ·反应磁控溅射法制备氧化钒薄膜实验研究 | 第46-52页 |
| ·反应磁控溅射法制备氧化钒薄膜的工艺参数 | 第46页 |
| ·实验的结果和性能分析 | 第46-52页 |
| ·m(O_2)/m(Ar)比对薄膜沉积速率的影响 | 第46-47页 |
| ·XPS 分析及m(O_2)/m(Ar)对薄膜成分的影响 | 第47-50页 |
| ·氧化钒的XPS 能谱特性 | 第47页 |
| ·表面薄膜的元素组成 | 第47-48页 |
| ·m(O_2)/m(Ar)对薄膜成分的影响 | 第48-50页 |
| ·XRD 分析及m(O_2)/m(Ar)比对薄膜结构的影响 | 第50-51页 |
| ·m(O_2)/m(Ar)比对薄膜电学性能的影响 | 第51-52页 |
| ·真空退火还原制备VO_2 薄膜的实验研究 | 第52-60页 |
| ·VO_2 薄膜的制备工艺参数 | 第52页 |
| ·实验的结果和性能分析 | 第52-60页 |
| ·XPS 分析及退火时间对薄膜成分的影响 | 第52-54页 |
| ·XRD 分析及退火时间对薄膜结构的影响 | 第54-55页 |
| ·退火时间对薄膜电学性能的影响 | 第55-57页 |
| ·真空退火处理对薄膜形貌的影响 | 第57-60页 |
| ·掺钨 VO_2 薄膜的实验研究 | 第60-64页 |
| ·掺钨 VO_2 薄膜的制备工艺参数 | 第61页 |
| ·实验的结果和性能分析 | 第61-64页 |
| ·XPS 分析薄膜中的掺钨量 | 第61-62页 |
| ·掺钨量对薄膜电学性能的影响 | 第62-63页 |
| ·掺钨改变 VO_2 薄膜相变特性的机理探讨 | 第63-64页 |
| ·小节 | 第64-66页 |
| 第六章 结论 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-73页 |
| 发表论文 | 第73页 |
| 专利 | 第73-74页 |