| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-30页 |
| ·热电材料概述 | 第9-17页 |
| ·Bi_2Te_3 系热电材料的研究概况 | 第17-21页 |
| ·Bi_2Te_3 系纳米薄膜材料的研究与应用概况 | 第21-27页 |
| ·本课题的研究意义与研究内容 | 第27-30页 |
| 2 VAPE 薄膜沉积系统的开发 | 第30-37页 |
| ·真空电弧等离子体 | 第30-32页 |
| ·薄膜沉积装置的改进 | 第32-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 3 P 型Bi_(0.4)Sb_(1.6)Te_3 薄膜的制备及工艺参数的影响 | 第37-56页 |
| ·实验方法 | 第37-38页 |
| ·P 型Bi_(0.4)Sb_(1.6)Te_3 薄膜的微观结构 | 第38-42页 |
| ·实验参数对P 型Bi_(0.4)Sb_(1.6)Te_3 薄膜制备的影响 | 第42-54页 |
| ·本章小结 | 第54-56页 |
| 4 Bi_(0.4)Sb_(1.6)Te_3 薄膜的厚度和退火温度对其热电性能的影响 | 第56-64页 |
| ·Bi_(0.4)Sb_(1.6)Te_3 薄膜的电阻率与膜厚的关系 | 第56-58页 |
| ·P 型Bi_(0.4)Sb_(1.6)Te_3 薄膜的Seebeck 系数与膜厚的关系 | 第58-60页 |
| ·退火温度对P 型Bi_(0.4)Sb_(1.6)Te_3 薄膜热电性能的影响 | 第60-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 5 全文总结 | 第64-66页 |
| ·结论 | 第64-65页 |
| ·展望 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-72页 |
